GaN系HEMTデバイスの量産試作ウェーハ、富士通研究所が公開

　富士通研究所は2010年3月、神奈川県川崎市内で開催した研究開発戦略説明会において、富士通セミコンダクターが2012年から量産を計画しているGaN（窒化ガリウム）系半導体を用いたHEMT（高電子移動度トランジスタ）デバイスの量産試作ウェーハを展示した（写真1）。

写真1　GaN系HEMTデバイスの量産試作ウェーハ　

　富士通研究所は2009年6月、独自に開発した3層ギャップリセス型絶縁ゲート構造を用いた高特性のGaN系HEMTデバイスを発表している。このときは、SiC（炭化シリコン）ウェーハ上に気相成長させたGaNを用いてデバイスを試作した。これに対して今回は、SiCと比べてより低価格で大口径のものを入手しやすいシリコンウェーハ上に気相成長させたGaNを用いてデバイスを作り込んだ。ウェーハの直径は150mmで、富士通セミコンダクターの会津若松工場（福島県会津若松市）で製造された。「GaNデバイスのコスト低減を実現するためには、シリコンウェーハをベースにしたプロセスを確立する必要がある。今回展示した量産試作ウェーハによって、ほぼその目処が立った」（富士通研究所）という。

　なお、富士通セミコンダクターは、GaN系HEMTデバイスを、サーバー用電源ユニットなど向けのパワーデバイスとして展開する方針である。当初生産するデバイスは、サイズが数mm角で、耐圧が700V、電流容量が50Aといった仕様を想定して開発が進められている。

（朴 尚洙）