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» 2010年04月02日 00時00分 UPDATE

GaN系HEMTデバイスの量産試作ウェーハ、富士通研究所が公開

[EDN Japan]

 富士通研究所は2010年3月、神奈川県川崎市内で開催した研究開発戦略説明会において、富士通セミコンダクターが2012年から量産を計画しているGaN(窒化ガリウム)系半導体を用いたHEMT(高電子移動度トランジスタ)デバイスの量産試作ウェーハを展示した(写真1)。


写真1 GaN系HEMTデバイスの量産試作ウェーハ 写真1 GaN系HEMTデバイスの量産試作ウェーハ 

 富士通研究所は2009年6月、独自に開発した3層ギャップリセス型絶縁ゲート構造を用いた高特性のGaN系HEMTデバイスを発表している。このときは、SiC(炭化シリコン)ウェーハ上に気相成長させたGaNを用いてデバイスを試作した。これに対して今回は、SiCと比べてより低価格で大口径のものを入手しやすいシリコンウェーハ上に気相成長させたGaNを用いてデバイスを作り込んだ。ウェーハの直径は150mmで、富士通セミコンダクターの会津若松工場(福島県会津若松市)で製造された。「GaNデバイスのコスト低減を実現するためには、シリコンウェーハをベースにしたプロセスを確立する必要がある。今回展示した量産試作ウェーハによって、ほぼその目処が立った」(富士通研究所)という。

 なお、富士通セミコンダクターは、GaN系HEMTデバイスを、サーバー用電源ユニットなど向けのパワーデバイスとして展開する方針である。当初生産するデバイスは、サイズが数mm角で、耐圧が700V、電流容量が50Aといった仕様を想定して開発が進められている。

(朴 尚洙)

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