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» 2011年09月08日 00時00分 UPDATE

耐圧1200VのIGBT、高スイッチング周波数における損失を低減

[EDN Japan]

 インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)は2011年9月、耐圧1200VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を8品種発表した。主に、電磁(IH)調理器、UPS(無停電電源)、太陽光発電のインバータ、溶接装置などの用途に向ける。1万個購入時の参考単価は3米ドルから。新製品は、「フィールド・ストップ・トレンチ」技術を用いて製造しており、高いスイッチング周波数で利用する場合でも、スイッチング損失と導通損失を低く抑えられることを特徴としている。これにより、ヒートシンクを小型化したり、磁気部品の点数を削減したりといったことが可能になるという。


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 発表した8品種としては、20A、30A、40A、50Aの公称電流について、それぞれリカバリダイオードを内蔵しているものと、内蔵していないものが用意されている。パッケージは、リカバリダイオードを内蔵しているものがTO-247(Co-Pack)、内蔵していないものがTO-247。

 また、コレクタ-エミッタ間電圧は、公称電流が20Aの品種が1.9V、それ以外が1.7Vである。

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