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» 2011年11月09日 00時00分 UPDATE

ドレイン効率が70%と高いRF出力段用MOSFET、業務/特定小電力無線向け

[EDN Japan]

 三菱電機は、業務用無線機や特定小電力無線機の高周波パワーアンプとして使える、7.2V動作で1W級のMOSFET「RD01MUS2B」を開発した。2011年12月1日に発売する。サンプル価格は60円(税別)。

 高周波増幅時のドレイン効率を70%(520MHz動作時)に高めるとともに、高周波信号が入力されていない待機時の消費電流を40mAまで削減したことが特徴だ。同社従来品は、それぞれ65%、100mAだった。新製品を採用すれば、無線機の動作時と待ち受け時の両方の消費電力を低減でき、電池駆動時間を延ばせる。

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 この他、送信出力電力を同社従来品の1.4Wから1.6W(ともに520MHz動作時)に高めたことも特徴である。従来品よりも送信出力のマージンを大きくとれるので、無線機の設計余裕度が高まる。さらに、MOSFETの素子内部の構造を最適化することで、ドレイン‐ソース間のサージ耐量を同社従来品の2倍に高めたという。それに加えて、ゲート‐ソース間にサージ保護用ダイオードを内蔵するなど、サージ対策を強化した。

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