メディア
ニュース
» 2011年12月20日 00時00分 UPDATE

ルネサスが車載サーマルFETのオン抵抗を25%低減、会社統合によりプロセスを最適化

[EDN Japan]

 ルネサス エレクトロニクスは2011年12月、過熱遮断機能を内蔵する車載nチャネルパワーMOSFET(サーマルFET)「RJF0604JPD」など5製品を発表した。同社従来品と比べてオン抵抗を25%低減したことを特徴とする。車内照明のスイッチやエンジン制御用ソレノイド、各種車載センサーの駆動用といった用途に向ける。既にサンプル出荷を開始している。サンプル価格は、パッケージにDPAK(外形寸法9.5×6.5mm)を採用するRJF0604JPD、「RJF0605JPD」、「RJF0611JPD」が100円、パッケージにLDPAK(外形寸法10.2×13mm)を採用する「RJF0606JPE」、「RJF0611JPE」が200円となっている。量産開始は2012年4月から。2015年4月以降の量産規模は、5製品の合計で50万個/月を計画している。

111220renesas_01.jpg

 新製品は、過熱遮断機能を内蔵するパワーMOSFETに最適な、nチャネル微細プロセスを新たに採用した。「会社統合により最適なプロセスを選択できた」(同社)ことで、従来比でオン抵抗を約25%低減できたという。例えば、耐圧60V/電流容量40Aの製品で比較すると、新製品のRJF0606JPEはオン抵抗が25mΩであるのに対して、従来品の「HAF2011L」はオン抵抗が33mΩである(いずれもゲート‐ソース電圧が4Vの時)。オン抵抗の低減により電力損失を抑えられるので、車載機器の省電力化を実現できる。

 また、内蔵する過熱遮断機能の電流制限回路の電流制限値を最適化した。これにより、乗用車向けの12Vバッテリーに加え商用車向けの24V系バッテリーを使用する場合でも、負荷短絡における車載機器の破壊から保護することが可能になった。

 RJF0606JPE以外の耐圧/電流容量/オン抵抗(ゲート‐ソース電圧が4Vの時)は以下の通り。RJF0604JPDが60V/5A/100mΩ、RJF0605JPDが60V/20A/50mΩ、RJF0611JPDとRJF0611JPEが60V/30A/40mΩ。5製品とも車載電子部品の品質規格AEC-Q101に準拠している。

 ルネサスは、新製品に適用した製造プロセスを活用して、より小型のSOP-8パッケージ採用品や2出力品、さらにオン抵抗を低減した製品など、車載サーマルFETのシリーズ展開を拡大する方針だ。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.