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» 2012年03月08日 14時22分 UPDATE

Vishay Si8497DB/Si8487DB:耐圧30VのpチャネルMOSFET、外形寸法が1.0×1.5mmの製品も

Vishayが発表した耐圧30VのpチャネルMOSFETは、小型パッケージと低オン抵抗を特徴としている。

[EDN Japan]

 Vishay Intertechnologyは2012年3月、耐圧30VのpチャネルパワーMOSFET「Si8497DB」と「Si8487DB」を発表した。スマートフォンやタブレット端末、POS(Point of Sales)端末、ノートPCなどのロードスイッチやバッテリスイッチの用途に向ける。サンプル出荷、量産出荷とも既に開始している。

 Si8497DB/Si8487DBは、いずれもVishay独自の技術である「TrenchFET Gen III」を適用している。同技術は、1平方インチ(6.45cm2)当たり10億個のトランジスタをシリコンチップ上に集積するもので、チップ面積やオン抵抗の低減に貢献するとしている。

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 Si8497DBは、外形寸法が1.0×1.5mmという小型パッケージを採用した。高さは最大で0.59mm。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が4.5Vのときに53mΩ、同2.5Vのときに71mΩ、同2.0Vのときに120mΩである(いずれも最大値)。

 一方、Si8487DBのパッケージは、外形寸法が1.6×1.6mm、高さは最大0.6mmとなっている。同サイズのpチャネルMOSFETとして、業界で最も低いオン抵抗を実現したとしている。具体的には、ゲート-ソース間電圧が10Vのときに31mΩ、4.5Vのときに35mΩ、2.5Vのときに45mΩとなっている(いずれも最大値)。

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