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» 2012年05月17日 14時30分 UPDATE

Vishay SiRA00DP:耐圧30VのnチャネルMOSFET、オン抵抗が1.35mΩと小さい

Vishayが発表したnチャネルMOSFETはゲート-ソース間電圧が4.5Vのときのオン抵抗が1.35mΩと小さいことを特長としている。

[EDN Japan]

 Vishay Intertechnologyは2012年5月、耐圧30VのnチャネルパワーMOSFET「SiRA00DP」など4品種のサンプル出荷を開始したと発表した。SiRA00DPは、ゲート・ソース間電圧が4.5Vのときのオン抵抗が1.35mΩ(最大値)と小さい。同社は「業界最小だ」と主張する。ゲート・ドレイン間電荷量(Qgd)は1.8nCに抑えた。高電力密度のDC-DCコンバータや同期整流器などに向ける。

 今回のnチャネルパワーMOSFET群は、Vishay独自のトレンチゲート技術の最新世代「TrenchFET Gen IV」を適用した最初の製品だという。例えば、SiRA00DPのオン抵抗とチップ面積の積は、同社の従来品と比べて60%小さい。パッケージは外形寸法が6.15mm×5.15mmの「PowerPAK SO-8」である。同じパッケージで許容ドレイン電流値などが異なる2品種も用意した。

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 4品種のうち残る1つは、外形寸法が3.3mm×3.3mmと小さい「PowerPAK 1212-8」パッケージを採用した「SiSA04DN」である。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が10Vのときに2.15mΩ、同4.5Vのときに3.1mΩ(最大値)。


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