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» 2012年06月15日 09時30分 UPDATE

電子ブックレット(EDN):待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

シリコン材料をベースとするパワー半導体と比べて、高速かつ低損失で動作する特性を備えているのが、SiCやGaNなどのワイドギャップ材料を用いた次世代のパワー半導体である。これまで、高いコストや歩留まりの低さなどによって、SiC/GaNデバイスの量産はなかなか立ち上がらなかった。しかし、2010年以降、複数のメーカーによる量産化の取り組みが加速している。

[EDN Japan]

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待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

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待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

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シリコン材料をベースとするパワー半導体と比べて、高速かつ低損失で動作する特性を備えているのが、SiCやGaNなどのワイドギャップ材料を用いた次世代のパワー半導体である。これまで、高いコストや歩留まりの低さなどによって、SiC/GaNデバイスの量産はなかなか立ち上がらなかった。しかし、2010年以降、複数のメーカーによる量産化の取り組みが加速している。


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