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» 2012年07月26日 07時00分 UPDATE

電子ブックレット(EDN):実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

「TECHNO-FRONTIER 2012(テクノフロンティア2012)」では、パワー半導体を手掛ける各社が次世代材料のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)を用いた素子やモジュールをこぞって展示した。これらの次世代パワー半導体は、素子単体やモジュールとしての製品化が進んでおり、白物家電から鉄道用インバータに至るまで、さまざまな分野の最終製品への搭載も始まっている。ただし当面は、コストや実績で圧倒的な優位にあるSi(シリコン)ベースのパワー半導体が主流であり続けるだろう。そのSiパワー半導体も改善が続いており、今回はIGBTなどの新型品がお目見えした。

[EDN Japan]

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実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「@IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日は、2012年7月11〜13日に東京ビッグサイトで開催された「TECHNO-FRONTIER 2012」より、パワー半導体関連のリポートをお届けします。



実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

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「TECHNO-FRONTIER 2012(テクノフロンティア2012)」では、パワー半導体を手掛ける各社が次世代材料のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)を用いた素子やモジュールをこぞって展示した。これらの次世代パワー半導体は、素子単体やモジュールとしての製品化が進んでおり、白物家電から鉄道用インバータに至るまで、さまざまな分野の最終製品への搭載も始まっている。ただし当面は、コストや実績で圧倒的な優位にあるSi(シリコン)ベースのパワー半導体が主流であり続けるだろう。そのSiパワー半導体も改善が続いており、今回はIGBTなどの新型品がお目見えした。


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