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» 2013年05月15日 12時18分 UPDATE

電子ブックレット(EDN):SiGeが切り開く半導体の未来

SiGe(シリコンゲルマニウム)を用いた半導体製造プロセスでは、シリコンのみを用いた場合よりも低ノイズでより高速なトランジスタを実現できる。このことによって、アナログ回路の設計者は、多くのメリットを享受することができる。本稿では、今後さらに重要になるであろうSiGe半導体技術について解説する。

[EDN Japan]

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SiGeが切り開く半導体の未来

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日は、SiGeについて解説した記事をお届けします。



SiGeが切り開く半導体の未来

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SiGe(シリコンゲルマニウム)を用いた半導体製造プロセスでは、シリコンのみを用いた場合よりも低ノイズでより高速なトランジスタを実現できる。このことによって、アナログ回路の設計者は、多くのメリットを享受することができる。本稿では、今後さらに重要になるであろうSiGe半導体技術について解説する。


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