ニュース
» 2013年06月17日 12時18分 UPDATE

TECHNO-FRONTIER 2013 開催直前情報:IRジャパンが最新製品群のデモを披露、D級アンプを用いた電池駆動機器を設計するテクニックも伝授

ICやパワーモジュールを1パッケージに収めたマルチチップモジュールなどを開発するインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)。「TECHNO-FRONTIER 2013」では、プレゼンテーションやデモンストレーションを中心とした展示で、低い消費電力と高い電力密度を実現した製品群を紹介する予定だ。セミナーでは、D級アンプを用いて、限られたエネルギー源からハイパワーを引き出す設計手法について解説する。

[EDN Japan]
mm130617_ir_120.jpg

 2013年7月17〜19日の3日間、メカトロニクス/エレクトロニクス関連の最新の要素技術が一堂に集結する「TECHNO-FRONTIER 2013」が開催される。

 TECHNO-FRONTIER 2013の開催に先立ち、アイティメディアが運営する組み込み/エレクトロニクス関連メディア「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」では、TECHNO-FRONTIER 2013の特設ページを設け、各編集部が厳選した注目企業の見どころ情報や新製品リリース、速報、イベントリポートなどを紹介する。

 今回紹介するのは、パワーマネジメント向けの製品群に力を入れるインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(以下、IRジャパン)だ。

>>3メディア合同「TECHNO-FRONTIER 2013特集」

省エネに貢献する電源管理向け製品群

 IRジャパンのTECHNO-FRONTIER 2013におけるテーマは、「省エネに貢献するパワーマネージメント・ソリューション」だ。同社は、消費電力の低減と電力密度を高める業界最先端の技術、製品群を取りそろえ、豊富なデモンストレーションを行う予定である。

 出展される製品の具体例は、以下の通りだ。

  1. D級オーディオアンプ用パワーモジュール、「PowIRaudio」(デモ展示)
  2. DC-DCコンバータ用マルチチップモジュール「SupIRBuck」(新製品デモ展示、トランジェント波形を展示予定)
  3. IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)第8世代製品(新製品デモ展示)
  4. モーター制御向けインテリジェントパワーモジュール「μIPM」
  5. 車載HV DC-DC向け製品、高性能パワーMOSFET、HVICなど
mm130617_ir_fig1.jpgmm130617_ir_fig2.jpg 左は「PowIRaudio」、右が「SupIRBuck」(クリックで拡大)

 上記に加えて、次世代パワー半導体の代表格であるGaN関連の製品についても、展示を行うべく調整を進めている。

 さらに、会期中の7月17日には、インターナショナル・レクティファイアーの本田 潤氏によるセミナー「D級アンプを用いたバッテリー駆動オーディオシステムの設計」も行われる。

セミナー情報:「D級アンプを用いたバッテリー駆動オーディオシステムの設計」

内容 Appleの「AirPlay」をはじめとするワイヤレス接続の普及により、電池駆動のオーディオ機器への需要が高まっています。一方で、2次電池の性能向上、高効率アンプ技術の進歩により、高性能、大出力なオーディオシステムを長時間電池で駆動できるようになりました。
本セミナーでは、変動する電池電圧下で安定して動作し、かつ高効率なD級アンプを用い、限られたエネルギー源からハイパワーを引き出すテクニックなど、電池駆動機器向けのオーディオパワーアンプの設計例について解説します。また、D級アンプ搭載オーディオ機器の試聴会も予定しています。
日時 7月17日(水)13:20〜14:10
会場 出展者セミナー会場1
講師 インターナショナル・レクティファイアー社 ESP(省エネ製品)事業部 オーディオ・システム・エンジニアリング ディレクター 本田 潤

 IRジャパンは、従来のパネル展示から、プレゼンテーション中心の展示に変更した。新製品のデモも増やし、より分かりやすく同社の製品を体感できるようになっているという。

マルチチップモジュール化などで、“環境に優しい”最終製品を

 IRは常に、「電力効率を高めた製品の開発が環境に優しい最終製品の設計を可能にする」という考えの基に、製品の開発/設計を行っているという。例えば、電力損失を最小限に抑えるパッケージソリューションを開発し、ICやパワーモジュールを1パッケージに収めたマルチチップモジュール化などを進めている。こうした取り組みにより、電力効率の向上や実装面積の削減、コストの削減を実現している。

 IRジャパンは、「さらなる電力密度、損失削減、システムサイズの削減に対する要求が高まり、Si(シリコン)における物理的限界が迫っていると言われる中、常に新しい素材が求められています。当社の場合は、GaN系を採択し、パワーデバイスの開発を進めてきました。これにより近い将来、さらに幅広い電力変換アプリケーションに対応できるようになると考えています」と述べる。「TECHNO-FRONTIER 2013は、特に電源分野において業界随一の専門展示会だと認識しています。ブース内で直接、製品や技術を紹介し、来場者の皆さまから生の反応を得られることを期待しています」(IRジャパン)。

TECHNO-FRONTIER 2013

会期 2013年7月17日(水)〜19日(金)
時間 10:00〜17:00
会場 東京ビッグサイト
IRジャパン ブースNo.:1G-105


TECHNO-FRONTIER 2013特集

>>↑↑↑特集ページはコチラから↑↑↑<<

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.