ニュース
» 2013年10月31日 14時34分 UPDATE

東芝 組み込み用NANDメモリ:東芝、第2世代19nmプロセス採用組み込み向けNANDを発表

東芝は、スマートフォンなどのモバイル機器への組み込み用途向けNAND型フラッシュメモリとして、同社最新の第2世代19nm製造プロセスを用いた製品「THGBMBG8D4KBAIR」(32Gバイト容量)と「THGBMBG7D2KBAIL」(16Gバイト容量)を2013年11月下旬から量産すると発表した。

[EDN Japan]
120_tt131031TOSHIBA00.jpg

 東芝は2013年10月31日、スマートフォンなどのモバイル機器への組み込み用途向けNAND型フラッシュメモリとして、同社最新の第2世代19nm製造プロセス(関連記事:東芝、19nmプロセスを改良し「世界最小」の64Gbit容量品を発売)を用いた製品「THGBMBG8D4KBAIR」(32Gバイト容量)と「THGBMBG7D2KBAIL」(16Gバイト容量)を2013年11月下旬から量産すると発表した。

tt131031TOSHIBA00.jpg 第2世代19nm製造プロセスを採用した新製品

 新製品は、2013年9月にJEDECが策定した組み込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格「e・MMC Version 5.0」に準拠し、コントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NANDメモリとなっている。

 第2世代19nm製造プロセスの採用により、第1世代19nm製造プロセスを採用した従来品に比べ、実装サイズを22%小型化したという。新規高速インタフェース規格「HS400」の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来品に比べて読み出し速度が64%、書き込み速度が33Gバイト品で38%、16Gバイト品で25%、高速化したとする。

 東芝は、4Gバイト、8Gバイト、64Gバイト、128Gバイトの容量品についても「順次量産を行う予定」としている。

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.