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» 2013年11月14日 18時15分 UPDATE

富士通セミコンダクター MB85R4M2T:SRAMとの置き換え可能、富士通セミコンの4MビットFRAM

MB85R4M2Tは、SRAM互換のパラレルインタフェースを搭載することでSRAMとの置き換えを可能とする4MビットFRAMである。2014年1月よりサンプル出荷を始める。MB85R4M2Tに置き換えることでSRAM搭載時に必要だったデータ保持用バッテリを削減することができる。

[EDN Japan]
富士通セミコンの4MビットFRAM「MB85R4M2T」

 富士通セミコンダクターは2013年11月、SRAM互換のパラレルインタフェースを搭載することでSRAMとの置き換えを可能とする4MビットFRAM「MB85R4M2T」を開発し、2014年1月よりサンプル出荷を始めると発表した。MB85R4M2T に置き換えることでSRAM搭載時に必要だったデータ保持用バッテリを削減することができる。産業用コントロールユニットや高機能プリンタ、医療機器、セキュリティシステムなどの用途に向ける。

 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)は、強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用した不揮発性メモリである。電源を切ってもデータを保持することができ、データの書き込みを高速に行える特長を持つ。

tm_131114fujitsu02.jpg 富士通セミコンの4MビットFRAM「MB85R4M2T」の外形 (クリックで拡大)

 MB85R4M2Tは、パッケージに44端子TSOPを採用することで、汎用SRAMと互換性を持つ。このため、現在データ記録用にSRAMを実装している用途において、回路基板の設計を大幅に変更せずに、MB85R4M2Tとの置き換えが可能となる。また、データ保持用のバッテリが不要となるため、メモリ部が占める回路基板の面積を約半分にできるという。部材コストの削減にもつながることになる。さらに、機器のメイン電源を切った状態でも、SRAM搭載時はデータを保持するため、約15μAの電流を消費していたが、FRAMだとそれもゼロにすることができる。

tm_131114fujitsu03.jpgtm_131114fujitsu04.jpg データ保持用のバッテリが不要となり、メモリ部が占める回路基板の面積は約半分にできる(左)、機器のメイン電源を切った状態で、FRAMは消費電流がゼロとなる(右) (クリックで拡大) 出典:富士通セミコンダクター

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