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» 2014年03月25日 10時00分 UPDATE

STマイクロ SCT30N120:動作温度は最大200℃、STマイクロの1200V耐圧SiCパワーMOSFET

「SCT30N120」は、動作温度が最大200℃と温度特性に優れ、オン抵抗も低い1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETである。EVや産業用モーター、太陽光発電システムのインバータなどの用途に向ける。

[EDN Japan]

 STマイクロエレクトロニクスは2014年3月、動作温度が最大200℃と温度特性に優れ、オン抵抗も小さい1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET「SCT30N120」のサンプル出荷を始めた。2014年6月より量産出荷の予定である。EVや産業用モーター、太陽光発電システムのインバータなどの用途に向ける。

 同社は、温度定格が最大200℃を達成した高耐圧のSiCパワーMOSFETを開発し、業界に先駆けて製造する半導体メーカーの1社である。SCT30N120は、極めて高い動作温度を実現したことによって、実装するプリント基板の形状を小さくでき、回路設計を行う上で温度管理に関する配慮も簡略化することができるという。その上、オン抵抗は標準の25℃時に80mΩと小さく、最大200℃時においても100mΩ以下を達成している。

tm_140325stm01.jpg SiCパワーMOSFET「SCT30N120」の外観

 また、ターンオフ損失やゲート電荷が小さく、高効率で高速スイッチングを実現することができる。リーク電流は標準で10μA以下と少ない。ゲート駆動回路もシンプルにできるため、コストを低減することが可能になるという。パッケージは独自の「HiP247」で供給する。1000個購入時の単価は約35米ドル。

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