ニュース
» 2014年08月18日 09時00分 UPDATE

IR IRFHE4250D:電力損失を5%低減、IRジャパンのパワーブロック

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)の「IRFHE4250D」は、パワーMOSFET「FastIRFET」を2個内蔵した定格電流60A、耐圧25Vのパワーブロックである。従来品に比べて25Aでの電力損失を少なくても5%低減することができる。

[EDN Japan]

 インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)は2014年8月、パワーMOSFET「FastIRFET」を2個内蔵した定格電流60A、耐圧25Vのパワーブロック「IRFHE4250D」を発表した。従来品に比べて25Aでの電力損失を少なくても5%低減することができる。通信/ネットワーク機器、グラフィックスカード、各種PCなどのDC-DC変換用途に向ける。

 IRFHE4250Dは、導通損失を減らすためにオン抵抗(ゲート-ソース間電圧4.5V時)が最大1.35mΩと小さい同期整流用FastIRFETと、スイッチング損失を減らすためにゲート電荷が13nCと小さい制御用FastIRFETの、2個のFastIRFETを搭載している。IRFHE4250Dのパッケージは、外形寸法が6×6mmと小さく、高さも最大0.75mmに抑えたPQFNを採用している。このため、プリント基板の裏面への実装も容易だ。また、パッケージの表面が露出した構造となっており、熱特性にも優れている。

tm_140818irj01.jpg IRFHE4250Dの外観

 IRFHE4250Dは、耐湿性レベルは2(MSL2)に対応、欧州規制RoHSに準拠している。参考価格は1000個購入時の単価が1.44米ドルより。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.