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» 2015年05月14日 11時30分 UPDATE

アプライド マテリアルズ Applied Centura Tetra Z Photomask Etch:10nm世代以降のクアッドパターニング対応したフォトマスクエッチング装置

アプライド マテリアルズは、マルチパターニングを10nm世代以降に拡大する、次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置を発表した。

[EDN Japan]

 アプライド マテリアルズは2015年4月、マルチパターニングを10nm世代以降に拡大する、次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置「Applied Centura Tetra Z Photomask Etch」を発表した。高いフォトマスクエッチング性能と欠陥制御機能により、今後のロジック/メモリデバイスに必要とされる、高度なパターニング仕様に対応するという。

 Applied Centura Tetra Z Photomask Etchは、精密材料技術とプラズマ反応法則を活用し、波長193nmリソグラフィの有用性を拡張するフォトマスクエッチング装置。バイナリマスクや位相シフトマスク(PSM)の製造に用いられるクロム、MoSi(酸窒化ケイ素モリブデン)、ハードマスク、石英(シリカガラス)などを使用した高度なエッチングアプリケーションに対応している。

Rel_150424_appliedmaterials.jpg 次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置のイメージ

オングストローム単位の精密な寸法CD制御性

 同社のTetraプラットフォームの機能を拡張し、フォトマスクのオングストローム単位の精密な寸法(CD)制御性を可能にした。あらゆる加工寸法とパターン密度に対し、一様なエッチング精度を保つため、欠陥発生率は実質的にゼロになるという。

 さらに、高いCD制御性能とエッチング選択比により、より薄いレジスト膜が使用できる。これにより、重要なデバイス層に微細なフォトマスクCDパターンを施すことが可能になるという。また、CDバイアス制御機能を搭載したことで、ユーザー固有の要件にも柔軟に対応できる。独自の石英エッチング深さ制御機能では、位相角の精度を確保し、交互開口PSMやクロムレス位相リソグラフィなどが利用できる。

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