メディア

IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化電子ブックレット

EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。

» 2015年08月31日 11時30分 公開
[EDN Japan]

「電子ブックレット(EDN)」一覧

エンジニア電子ブックレット

IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション(接合部)温度を計算する方法を解説します。

 なお、PDFではなく、Webで閲覧する場合は、こちらをクリックしてください。

IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化

アイコン

1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション(接合部)温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。しかし、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いた平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。


↓ログイン(会員登録)後、ダウンロードリンクが表示されます↓

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.