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» 2016年11月18日 09時00分 UPDATE

インフィニオン OptiMOS 5 150V品:オン抵抗と逆回復電荷を低減する150V品ファミリー

インフィニオンテクノロジーズは2016年10月、パワーMOSFETとして、高効率な設計を対象とした「OptiMOS 5」150V品ファミリーを発表した。特別な最適化が施されており、オン抵抗と逆回復電荷を低減する。

[EDN Japan]

整流回路の耐久性が向上

 インフィニオンテクノロジーズは2016年10月、パワーMOSFETとして、高効率な設計を対象とした「OptiMOS 5」150V品ファミリーを発表した。低電荷や高電力密度に加え、耐久性の高さも要求される高性能アプリケーションを対象に、最適化が施されている。

 同製品は、SuperSO8パッケージでのオンステート抵抗(RDS(on))を、他社代替製品と比較して25%削減。オン抵抗が同一の場合は、ゲート電荷性能指数が旧世代製品に比べて最大29%改善される。逆回復電荷(Qrr)は、SuperSO8による他社代替製品との比較で72%減となった。この低いQrrにより、整流回路の耐久性が向上するという。

「OptiMOS 5」150V品ファミリー

 同社は、高効率設計によりCO2排出量を削減する製品を開発してきた。同製品は、通信機器の消費電力削減や電気自動車の高出力化などに貢献するとしている。

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