まとめ
» 2017年01月01日 11時00分 UPDATE

電子ブックレット(EDN):GaNに対する疑念を晴らす

EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタの本当の利点を引き出すために必要なことを解説します。

[EDN Japan]
エンジニア電子ブックレット

GaNに対する疑念を晴らす

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタについて解説します。

アイコン

GaNに対する疑念を晴らす

新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。【著:Adam Vasicek, Alexander James Young(ON Semiconductor)


・ブックレットは無料でお読みいただけますが、電子機器設計/組み込み開発 メールマガジンの購読登録が必要です。
・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。
・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

MONOist×JOBS

【年収1000万以上】人気求人ランキング

半導体開発<自動車用半導体パワーデバイス>

機構設計<新蓄電デバイスモジュール>

機械設計(変圧器)

燃料電池自動車(FCEV、FCV)開発戦略マネージャー

システムエンジニア/TPM<VED>

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.