ニュース
» 2017年01月27日 09時00分 UPDATE

東芝 TPH6R30ANL/TPH4R10ANL:4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET

東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。

[EDN Japan]

最大6.3mΩのRDS(ON)

 東芝 ストレージ&デバイスソリューション社は2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。スイッチング用途での要求性能指数となる「RDS(ON)×Qsw」を低減し、低オン抵抗と高速性能を可能した。高速充電器やスイッチング電源、サーバおよび通信インフラ用のDC-DCコンバーターなどに活用できる。

NチャンネルパワーMOSFET

 両製品は、低耐圧トレンチ構造の高速プロセスを採用。RDS(ON)(ドレインソース間オン抵抗)をTPH6R30ANLで最大6.3mΩ、TPH4R10ANLで4.1mΩ(いずれも10V時)に抑えた。Qsw(ゲートスイッチ電荷量)は、それぞれ14nC、21nCとなっている。また、出力電荷量をそれぞれ46nCと74nCに低減することで、出力損失を改善し、応用機器の効率化を可能にした。

 コントローラーICからバッファレスの駆動も可能で、システムを低消費電力化して電源の高出力電圧化にも対応する。ドレインソース間電圧はいずれも100Vで、ドレイン電流はTPH6R30ANLが45V、TPH4R10ANLが70V。SOP Advanceパッケージで提供される。

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.