ニュース
» 2017年02月08日 09時00分 UPDATE

インフィニオン 700V CoolMOS P7ファミリー:Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET

インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。

[EDN Japan]

従来品より2.4%の効率向上

DPAKパッケージ

 インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。同社のNチャネルパワーMOSFET「CoolMOS」の新シリーズとなる。

 従来製品に比べてスイッチング損失(EOSS)を27〜50%低減し、スマートフォンやタブレット用充電器、ノートPCのアダプターなど、ソフトスイッチング方式で強みを発揮する。フライバック方式の充電器に使用した場合、効率が最大3.9%向上し、デバイス温度を最大16℃抑えることができる。同社従来の耐圧650V製品に比べ、2.4%の効率向上と12℃の温度低下が可能になるという。

 またツェナーダイオードを内蔵し、ESD(静電気放電)耐性をHBM(人体モデル)クラス2まで高めた。RDSON×QGおよびRDSON×EOSSによる性能指標(FOM)が低いため、損失を低く抑えることが可能。ゲートしきい値電圧(VGSth)は3V、許容誤差は±0.5Vで開発され、より低いゲートソース電圧を使用できる。

 360〜1400mΩ品を現在、IPAK SL/DPAK/TO-220FPパッケージで提供している。

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.