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DDR4 NVDIMM向けの高集積パワーマネジメントIC：IDT P8800

IDTは2017年1月、DDR4 NVDIMMアプリケーション向けの高集積パワーマネジメントIC「P8800」を発表した。従来のカスタムディスクリート実装の機能を1チップに集積している。

» 2017年02月14日 09時00分公開

[EDN Japan]

　IDTは2017年1月、DDR4 NVDIMMアプリケーション向けの高集積パワーマネジメントIC「P8800」を発表した。従来のカスタムディスクリート実装の機能を1チップに集積し、DIMM上の電圧生成、電源スイッチオーバー、過電流／過電圧保護を管理できる。

高集積パワーマネジメントIC「P8800」

　従来のNVDIMMパワー製品は、コントローラーや電圧レギュレーター、ダイオード、さまざまな受動部品で構成されたディスクリート実装が一般的だが、P8800はこれらの機能を1チップに集積した。密度スケーリング、電源シーケンシング、ストレージクラスメモリをサポートし、完全にプログラムできるという。

　入力電圧範囲は3.5～13.8Vで、自動または信号ベースで補助電源への切り替えが可能。過電圧、低電圧、過電流に対する入力／出力保護機能を備えている。また、集積された入力電源の突入電流を制御する他、MOSFETを遮断して逆電流を防止する。

　同社のNVDIMM対応メモリインタフェース製品と組み合わせることで、データセンターやクラウドの機能と信頼性向上が可能になるとしている。

Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振（QR）フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。
2.3MHzの高周波動作が可能なDCｰDCコンバーター
リコーは、周波数2.3MHzで動作し、最大4A出力が可能な同期整流型の降圧DC-DCコンバーターICシリーズを発表した。車載機器や産業機器、民生機向けに3つの品質ランクをそろえた。
4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ＆デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。
最大効率97％を実現した60V DC-DCコントローラ
リニアテクノロジーは2017年1月、入力サージストッパと理想ダイオードコントローラを備えたマルチフェーズ同期整流式昇圧DC-DCコントローラ「LTC3897」を発売した。