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» 2017年04月20日 09時00分 UPDATE

インフィニオン 600V CoolMOS P7/C7 Gold:小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET

インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。

[EDN Japan]

効率を最大1.5%向上

 インフィニオン テクノロジーズは2017年3月、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。スーパージャンクションMOSFETの性能を向上させ、サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。

 600V CoolMOS P7は、100W〜15kWまでの電力に対応し、充電器やアダプター、照明、TV、PC用電源、太陽光発電、サーバ、通信、電気自動車の充電など、幅広いアプリケーションに活用できる。オン抵抗は37〜600mΩで、さまざまなトポロジーにおいて効率を最大1.5%高めた。HBM(人体帯電モデル)におけるESD耐性は2kVで、熱特性は競合製品に比べて最大4.2℃優れている。

高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」

 600V CoolMOS C7 Goldは、28〜150mΩの低オン抵抗に加え、ゲートチャージを抑えることで、出力静電容量に保存されるエネルギーを低減した。熱特性を改善したTO-Leadlessパッケージを採用し、ケルビンソースにも対応。D2PAKと比べ、基板占有面積を30%、高さを50%、体積を60%削減できる。また、PFC回路やLLC回路の損失を最小限に抑え、PFC回路の全負荷効率を改善した。寄生ソースインダクタンスは1nHに低減している。

高耐圧MOSFET「600V CoolMOS C7 Gold」

 両製品とも、既に量産出荷を開始している。

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