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» 2017年12月28日 09時00分 公開

STマイクロ PWD13F60:4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiP

STマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。

[EDN Japan]

ゲートドライバと保護回路を内蔵

 STマイクロエレクトロニクスは2017年12月、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。ゲートドライバと保護回路を内蔵し、産業用モータードライバ、照明安定器、電源、コンバーター、インバーターなどの部材コストと基板面積を削減できる。

フルブリッジSiP「PWD13F60」

 4個のパワーMOSFETを集積し、単独で単相フルブリッジを構成する他、1つのフルブリッジまたは2つのハーフブリッジとしても構成できる。また、ディスクリート部品で構成する従来の回路に比べ、実装面積を60%小型化。最終製品の電力密度を高めることができる。

 同社の高耐圧BCD6s-Offlineプロセスで製造され、パワーMOSFET用のゲートドライバとハイサイド駆動用のブーストラップダイオードを内蔵している。外付け部品が不要になるため、基板設計を簡略化し、組み立て工程を効率化する。貫通電流保護と低電圧ロックアウト(UVLO)を備え、実装面積の削減とシステムの安全性を向上できる。

 電源電圧は最低6.5Vから動作できる。ドレインソース間オン抵抗は320mΩ、ブレークダウン電圧は600V。3.3〜15Vのロジック信号を入力でき、マイコン、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、ホールセンサーとの接続も容易に行える。

 放熱効率に優れたマルチアイランドのVFQFPNパッケージで供給され、1000個購入時の単価は約2.65米ドルとなる。

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