メディア
ニュース
» 2018年01月31日 09時00分 公開

東芝 π-MOSIXシリーズ:スイッチング電源向けの600V耐圧プレーナMOSFET

東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べ、EMIノイズピーク値を5dB低減した。

[EDN Japan]

定格電流と同等のアバランシェ電流定格

 東芝デバイス&ストレージは2018年1月、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。ドレイン電流11Aの「TK650A60F」、同10Aの「TK750A60F」、同6Aの「TK1K2A60F」、同3.7Aの「TK1K9A60F」をそろえた。

600V耐圧プレーナMOSFET「π-MOSIX」シリーズ

 チップデザインを最適化したことで、従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べてEMIノイズピーク値を5dB低減した。また、定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保している。

 オン抵抗は、TK650A60Fが最大0.65Ω、TK750A60Fは最大0.75Ω、TK1K2A60Fは最大1.2Ω、TK1K9A60Fは最大1.9Ω。ゲート入力電荷量は、それぞれ34nC、30nC、21nC、14nCとなる。

 主な用途として、ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源、照明用電源などを見込む。さらに今後、同耐圧でのラインアップ展開や500V、650V耐圧品を展開するとしている。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.