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» 2018年02月23日 09時00分 公開

ルネサス ISL7002xSEH、ISL70040SEH:宇宙産業用耐放射線パッケージのGaN FETとドライバー

ルネサス エレクトロニクスは、宇宙産業向けに、耐放射線パッケージのGaN(窒化ガリウム)FET「ISL7023SEH」(100V、60A)、「ISL70024SEH」(200V、7.5A)と、ローサイドGaN FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。

[EDN Japan]

軍用温度範囲での使用に対応

 ルネサス エレクトロニクスは2018年2月、宇宙産業向けに、耐放射線パッケージのGaN(窒化ガリウム)FET「ISL7023SEH」(100V、60A)、「ISL70024SEH」(200V、7.5A)とローサイドGaN FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。ISL7002xSEHは9.0×4.7mmのSMDパッケージ、ISL70040SEHは密閉型8リード6×6mmのSMDパッケージで提供される。

GaN FET電源ソリューション「ISL7002xSEH」「ISL70040SEH」

 ISL7002xSEHは、Efficient Power Conversion社のベースダイを使用し、MIL-PRF-38535クラスVに類似したフローで製造される。−55〜125℃(ジャンクション温度は150℃まで)の軍用温度範囲での使用が可能で、ロットごとの耐放射線性は高線量率で100krad(Si)、低線量率で75krad(Si)を保証する。

 ISL7023SEHは、ドレインソース間オン抵抗が5mΩ、総ゲート電荷量が14nCと低く、ドレインソース電圧が100V、ゲートソース電圧が0Vとなる。また、ISL70024SEHは、ドレインソース間オン抵抗が45mΩ、総ゲート電荷量が2.5nC、ドレインソース電圧が160V、ゲートソース電圧が0Vとなる。

 ISL7002xSEHを駆動するISL70040SEHは、電源電圧が4.5〜13.2Vで、出力を分割してFETのターンオン速度とターンオフ速度を調整する機能を持つ。高周波動作で大電流ソースおよびシンク能力を提供し、反転と非反転の両方のゲート駆動を実施する。また、ロジック入力に対するフェイルセーフ保護機能を備え、意図しないスイッチングを防止する。

 軍用温度範囲での使用が可能で、86MeV・cm2/mgの線エネルギー付与(LET)では、最大16.5Vまでのシングルイベント効果(SEE)に耐性を持つ。ウエハーごとの耐放射線性保証は、高線量率で100krad(Si)、低線量率で75krad(Si)。アメリカ国防兵站局SMD 5962-17233に準拠した電気的特性を保証する。

 同社によると、宇宙産業向けとしては初の耐放射線パッケージになるという。打ち上げ機や人工衛星、ダウンホール掘削、高信頼性工業用途の1次および2次DC-DCコンバーター電源に使用できるとしている。

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