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» 2018年06月27日 09時00分 公開

トランスフォーム TP65H035WS:650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用

トランスフォームは、同社の高電圧650V GaN(窒化ガリウム)FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC(力率改善)プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。

[EDN Japan]

導入で効率が2%、パワー密度が20%向上

 トランスフォームは2018年6月、同社の高電圧650V GaN(窒化ガリウム)FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクス(シーソニック)の1.6kWブリッジレストーテムポールPFC(力率改善)プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。同製品の導入により、従来のシリコン系プラットフォームに比べて効率が2%、パワー密度が20%向上した。

PFCプラットフォーム「1600T」での採用イメージ

 シーソニックは、TO-247パッケージで提供される、RDS(on)35mΩのTP65H035WSを1600Tに採用。TP65H035WSの代表的ゲートしきい値は4Vで、最大ゲート電圧は±20V。ハードスイッチとソフトスイッチの両回路で効率を改善する他、一般的なゲートドライバと組み合わせることで、コスト管理を容易にし、設計を簡素化できる。

 1600TにTP65H035WSを導入したことで、産業用などの充電器やサーバ、PC、ゲーミング電源用に力率改善効率99%を達成するプラットフォームを提供可能になったという。

 また、トランスフォームでは、高電圧用途でより多くGaNを活用してもらうため、アプリケーションサポートやトレーニングも提供する。例えばシーソニックでは、同社のアドバイスによって、低コストのデジタルシグナルプロセッサ(DSP)を活用してトーテムポールPFCを制御している。同社は、「両社の共同開発によってシーソニック製品の効率向上と出力増大の両立が可能になった」とコメントしている。

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