「DRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Dynamic Random Access Memory

Publickey:
メモリ容量を最大8倍に拡張してくれるNVMe SSD Western Digital「Ultrastar Memory Extension Drive」発表
仮想記憶の仕組みを用いて、メモリ容量を最大8倍にまで拡大できるSSDをWestern Digitalが発表しました。安価なNVMe SSDでも、高価なDRAMを何百GBも購入するのに近い性能を得られる、コストパフォーマンスの高さが最大の魅力です。(2018/11/16)

“中国封じ込め”の新段階:
米中経済戦争は新段階 産業スパイ摘発で先端分野標的
ハイテク技術覇権をめぐって中国と争うトランプ米政権が、“中国封じ込め”の新段階に乗り出そうとしている。米司法省が1日、ビッグデータ時代を支える半導体メモリー「DRAM」の技術を米企業から窃取する「産業スパイ」の摘発を発表。中国がてこ入れを図る先端分野の企業を狙い撃ちにした。中国に大規模関税で圧力をかける米政府が今後、ピンポイントに打撃を与える同様の対抗策に軸足を移すシナリオも浮かぶ。(ワシントン 塩原永久)(2018/11/14)

低データレートでの消費電力を劇的に低減:
PR:モバイルDRAMの省電力に新機能、ディープパワーダウンとセルフリフレッシュモードが融合
スマートフォンなどモバイル機器の多くは、待機状態の割合が長く、待機時の消費電力削減が重要です。モバイル機器に搭載されるDRAM(モバイルDRAM)も低データレートでの消費電力削減が求められています。そうした中で、ウィンボンドは、低データレートで動作するモバイルDRAMの消費電力を劇的に低減させる新機能を開発しました。(2018/11/14)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

米司法省、中国と台湾の半導体企業などを起訴 米MicronからDRAM技術盗んだ罪
台湾の聯華電子と中国国有の福建省晋華集成電路および、米Micron Technologyの台湾子会社従業員だった台湾人3人が、経済スパイに関与した罪で米大陪審に起訴された。(2018/11/2)

10〜12月は前年比5%下落か:
DRAMの価格下落が加速
メモリチップ価格の追跡を手掛ける市場調査会社TrendForceによると、DRAM価格は2018年第4四半期(10〜12月)に同年前期比で約5%下落する見込みだという。(2018/10/5)

好況、不況を繰り返す:
DRAM市場、2018年は好調も2019年以降は低迷か
実績あるメモリ技術は、これまで長い間、好況と不況のサイクルを繰り返してきた。3D(3次元) NAND型フラッシュメモリの価格が下落しても、DRAMはまだ堅調な成長を遂げている。しかし、その状況はどれくらいの間続くのだろうか。(2018/9/26)

サーバ1台で10台分のインメモリ性能:
サーバ主記憶の拡張技術で処理性能が3.6倍に――富士通が実証実験
富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。(2018/9/20)

チップ市場全体の成長をけん引:
DRAM市場が好調、18年には1000億ドル超の可能性も
市場調査会社によれば、価格上昇の波に乗るDRAM市場は、2018年に前年比で30%以上の成長を遂げ、1000億米ドル規模に達すると予測されるという。(2018/8/13)

韓国・利川に:
SK Hynix、31億米ドルを投じメモリ新工場建設へ
SK Hynixは2018年7月27日、約31億米ドルを投じて、韓国にある本社に新たなDRAM製造施設を建設する計画を発表した。(2018/7/31)

Androidに存在するメモリ関連の脆弱性「RAMpage」、重要情報流出の恐れ
RAMpageは「Rowhammer」と呼ばれるDRAMの設計上の問題に関連して、欧州や米国の研究チームが発見した脆弱性だ。(2018/6/29)

4400MT/秒の転送速度を達成:
Cadence、7nmプロセスでDDR5インタフェースを試作
Cadence Design Systems(以下、ケイデンス)は2018年5月1日(現地時間)、規格策定中であるDDR5 DRAMの初期バージョンに対応するインタフェースIP(Intellectual Property)を、テストチップとして初めて試作したと発表した。(2018/5/8)

Android端末に「Rowhammer攻撃」、ChromeやFirefoxに脆弱性
DRAMの設計上の弱点を突く「Rowhammer攻撃」を仕掛け、Webブラウザのセキュリティ対策をかわせてしまう脆弱性が発見された。(2018/5/7)

DRAMだけでも10ドル以上だが……:
AI搭載IoT機器の普及には、安価なチップが不可欠
スマートホーム向けの照明システムの開発を手掛ける米Noon Homeは、IoTに機械学習を取り込むために、より安価なSoC(System on Chip)やDRAMの重要性を主張している。(2018/4/11)

福田昭のデバイス通信(129) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(5):
ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その2)、GPS不要の超小型ナビ、16Gビット高速大容量DRAMなど
「ISSCC 2018」2日目午前に行われるセッションのうち、セッション9〜12の見どころを紹介する。76GHz〜81GHz帯を使用する車載用ミリ波レーダー送受信回路や、超小型の慣性式ナビゲーションシステム、GDDR6準拠の16GビットDRAMなどが登場する。(2018/1/9)

データ転送速度は3600Mbps:
Samsung、10nmクラスの8Gb DDR4 DRAMを量産開始
Samsung Electronicsが、10nmクラスのプロセスを採用した第2世代の8GビットDDR4 DRAMの量産を開始したと発表した。(2017/12/25)

2017年は260億ドルに増大:
Samsungが設備投資費を倍増、中国には痛手か
DRAMの強いニーズを受け、Samsung Electronicsは半導体設備投資費を拡大する。2016年の113億米ドルから倍増し、2017年は260億米ドルとなる見込みだ。メモリに力を入れる中国にとっては、Samsungとの差がさらに大きく開く可能性もある。(2017/11/27)

福田昭のストレージ通信(86) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(7):
まとめ:新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
今回は、強誘電体メモリに関する2つのシリーズ「強誘電体メモリの再発見」と「反強誘電体が起爆するDRAM革命」の要点をまとめる。2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されてからの研究成果を振り返るとともに、これからの課題についても触れておきたい。(2017/11/2)

ハードウェアの転換期
真のDRAM代替メモリとは 未来のITインフラで起こるメモリ技術の革新
未来のデータセンターにおけるDRAMの代替を探る動きが進んでいる。業界専門家によると、データセンターハードウェアには今後、数多くの革新がもたらされる見通しだ。(2017/11/2)

福田昭のストレージ通信(85) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(6):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(後編)
後編では、NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループが試作した、3次元構造の反強誘電体キャパシターアレイと、その特性を紹介する。(2017/10/27)

福田昭のストレージ通信(84) 反強誘電体が起爆するDRAM革命(5):
「不揮発性DRAM」へのアプローチ(前編)
今回から、「不揮発性DRAM」の実現を目指す研究開発について解説する。二酸化ジルコニウムは、その結晶構造から、工夫次第で強誘電体のような不揮発性を付加できる可能性がある。(2017/10/20)

需要と供給のバランスが取れず:
メモリ価格の高騰はしばらく続く
DRAMとNAND型フラッシュメモリは価格は上昇していて、この傾向は今後もしばらく続くという。(2017/9/1)

「ソフトウェア定義メモリ」がもたらすチャンスと課題
「NVDIMM」「DRAM」強化で“ソフトウェア定義メモリ”実現、驚きの性能とは?
NVDIMMとDRAMの役割が拡大し、ソフトウェア定義メモリが実現することで、今後、企業データセンターの柔軟性が向上することが予想される。ただし幾つか課題もある。(2017/8/31)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

応用範囲の拡大で需要が増加:
2017Q2のDRAM世界売上高、過去最高の165億ドルに
2017年第2四半期(4〜6月期)のDRAM世界売上高が、過去最高の165億米ドル以上となった。DRAMeXchangeの予測によると、DRAMの販売価格は2017年の残りの期間、引き続き上昇し続けるという。(2017/8/23)

価格差は平行線のまま
SSDとHDDの性能とコストを徹底比較、“王位継承”は起きるのか?
SSDはHDDと比べると桁違いに高速だ。データセンターではSSDの採用が増え、DRAMの導入も始まっている。それでも当面のところ、HDDは生き残っていきそうだ。(2017/8/9)

価格上昇につながる可能性も:
Micronの台湾DRAM工場が稼働停止、供給に影響か
Micron Technologyの子会社であるInotera MemoriesのDRAM製造工場の稼働が停止したことで、DRAMの世界供給量が低下する可能性が出てきた。それにより、価格の上昇も懸念されている。(2017/7/7)

季節的な要因で売上高がやや減少:
モバイル向けDRAM、2017Q2には価格が10%上昇か
DRAMeXchangeによると、2017年第1四半期におけるモバイル向けDRAMの世界売上高は、前四半期に比べて1.7%減とわずかに低下した。ただし、2017年第2四半期には価格が10%上昇するとみられている。(2017/5/31)

2017年第2四半期に:
Samsungの売上高がIntelを超える可能性も
DRAMとNANDフラッシュメモリの価格が上昇していることから、2017年第2四半期(4〜6月期)におけるSamsung Electronicsの売上高が、Intelを超える可能性が出てきた。(2017/5/8)

ソニー DRMA積層型イメージセンサー:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層、3層構造をソニーが世界初
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/22)

Weekly Top 10:
ソニーのDRAM積層CMOSイメージセンサーに高い関心
EE Times Japanで2017年2月4〜10日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2017/2/14)

ソニーがISSCCで発表:
CMOSイメージセンサーにDRAMを積層
ソニーは、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した。高速読み出しを実現したことで、スマートフォンでもスーパースローモーション動画の撮影などが可能となる。(2017/2/8)

ソニー、スマホでスーパースローモーション撮影実現 DRAM搭載の3層CMOSイメージセンサー開発
スマートフォンなど小型機器向けの新型CMOSイメージセンサーをソニーが開発。(2017/2/7)

福田昭のストレージ通信(53) 抵抗変化メモリの開発動向(12):
SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術(前編)
抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶容量当たりの製造コストをDRAM以下にするためには、セレクタを2端子のスイッチにする必要がある。2端子セレクタを実現する技術としては、“本命”があるわけではなく、さまざまな技術が研究されている。(2016/12/27)

SnDアーキテクチャはもう限界だ:
PR:これからの組み込み機器のメモリ構成は「SRAM/FRAM+NORフラッシュ」
産業機器をはじめとした組み込み機器のメモリ構成が変わりつつある。これまで、組み込み機器のメモリは「DRAM+NANDフラッシュ」という構成が一般的だったが、今後組み込み向けの低容量、高信頼DRAM/NANDフラッシュの調達難が予想され、代替メモリへの切り替えが必要になっている。そこで、新たなメモリ構成として有力視されているのが、さらなる進化が見込まれるSRAM/FRAM、そしてNORフラッシュだ。(2016/12/1)

ET2016 レポート:
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。(2016/11/24)

IC Insightsが上方修正:
2016年の半導体市場、DRAMの回復で成長の見通し
IC Insightsによると、半導体IC市場はDRAMが回復基調にあることを受け、2016〜2017年にかけて、それぞれ1%、4%の売り上げ成長率を達成するという。(2016/10/25)

相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/9)

Computer Weekly:
フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」がいよいよ実用化
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ(PCM)だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。(2016/8/3)

メモリ市場の苦境を受け:
Micron、人員削減に踏み切る
Micron Technologyが人員削減を行うことを明らかにした。DRAMの価格が19カ月連続で減少するなど、メモリ市場で苦しい状態が続いていることが主な要因だ。(2016/7/6)

LLDRAM-IIIとFPGAなどで構成:
ルネサス、100Gb向けのパケットヘッダ検索を発表
ルネサス エレクトロニクスは2016年6月、100Gビットトラフィック級の通信機器向けに、パケットヘッダ検索レファレンスデザインの提供を開始した。汎用DRAMメモリで構成した場合と比較して、メモリデバイス数を15分の1、メモリの消費電力を60%削減可能という。(2016/7/4)

福田昭のストレージ通信 Micronが考えるメモリシステムの将来(2):
クルマの厳しい要求仕様に応えるDRAMとフラッシュメモリ
今回は、自動車のエレクトロニクスシステム、具体的には、ADAS(先進運転支援システム)およびクラスタ・ダッシュボード、車載インフォテインメントで使われるメモリを解説する。さらに、これらのメモリの5年後のロードマップも見ていこう。(2016/7/4)

差異化は難しくても:
DRAM、過酷な温度環境への対応で生き残る
3D NAND型フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリの開発が進む中、DRAMはどのような方向に発展していくのだろうか。米Virtiumは、過酷な稼働環境への対応がその1つだと述べる。(2016/5/16)

元エルピーダ社長の動きにも注目:
“メモリ大国”を目指す中国(後編)
メモリ技術の開発に積極的な中国だが、話はそれほど簡単ではない。中国では、元エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏がDRAMメーカーを立ち上げるなど、注目に値する動きも出てきている。(2016/4/19)

NANDフラッシュとDRAMを手掛ける数少ないメーカー:
Micron、ストレージ分野の事業展開を強化
NAND型フラッシュメーカーやDRAMメーカーの数が減っていく中、両方を手掛けるMicron Technologyは、自社が「独自のポジションを築いている」と自負する。より差異化を図るべく、メモリメーカーというよりも、ストレージシステムのビジネスに力を入れていきたい考えだ。(2016/4/19)

DRAMの価格下落で:
Micron、2016Q2は売上高が30%減に
メモリに対する強い価格圧力は続いているようだ。Micron Technologyの2016年度第2四半期における売上高は、前年同期比で30%減少した。ただし、Micronは、長期的な視野で見ると、DRAM業界には健全性が戻ってくるとしている。(2016/4/8)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12):
DDR4とHBMの長所と短所
今回は、HBM(High Bandwidth Memory)とDDR4 DRAMを、データ転送速度やパッケージングなどの点から比較してみる。後半は、埋め込みDRAM(eDRAM)の説明に入る。ARM ReserchのRob Aitken氏は、eDRAMが「ニッチな市場にとどまる」と予想しているが、それはなぜだろうか。(2016/3/29)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(11):
超高速DRAM技術「HBM」の基礎
今回は、「3次元(3D)技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではない」という事実とともに、3D技術を用いた超高速DRAM「HBM」とはどのようなDRAMなのかを紹介していく。(2016/3/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(10):
DRAMについて知っておくべき、4つのこと
今回は、DRAMで知っておくべき4つの事実を紹介する。「DRAMの事業規模は巨大であること」「DRAMの性能は常に不足していること」「DRAM開発は傾斜が急になり続ける坂道を登っているようなものであること」「3次元技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではないこと」の4つだ。(2016/3/23)

「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」高速CMOSセンサーが実現する新知能システム
「“CMOSセンサーはカメラ用”は古い」「DRAMの二の舞は避けねばならない」――高速CMOSセンサーを用いた画像処理の用途拡大を目指す「WINDSネットワーク」の副会長を務める石川教授は「日本の強み」を発揮することで世界をリードすると意気込む。(2016/2/25)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.