「トランジスタ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「トランジスタ」に関する情報が集まったページです。

無線通信デバイスの高出力化へ:
GaN-HEMTの表面電子捕獲機構を解明、東北大など
東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、GaN(窒化ガリウム)を用いた無線通信用高速トランジスタ(GaN-HEMT)の出力低下につながる表面電子捕獲のナノスケール定量分析と、その抑制機構の解明に成功した。(2018/9/11)

90年代から開発着手も:
EUVプロセス開発、けん引役をTSMCに譲ったIntel
技術開発をリードするごくわずかな半導体メーカーは、2019年にはEUV(極紫外線)リソグラフィによって、半導体のトランジスタ密度がその物理的限界にさらに一歩近づくと断言している。かつて世界最大の半導体メーカーだったIntelは、EUVで先頭に立とうとすることを諦めたようだ。(2018/9/7)

従来に比べ効率を0.2%改善:
インフィニオン、IGBTを300mmウエハーで量産
インフィニオンテクノロジーズは、耐圧1200VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスター)「TRENCHSTOP IGBT6」を発表した。この製品は300mmウエハーを用いて量産する。(2018/8/15)

機器形状数十分の一、コスト半減:
FLOSFIA、MOSFETのノーマリーオフ動作を実証
京都大学発のベンチャー企業が、コランダム構造の酸化ガリウムを用いて、ノーマリーオフ型MOSFET(絶縁効果型トランジスター)の動作実証に成功した。(2018/8/15)

レーダーの観測範囲は2.3倍に:
GaNトランジスタ、出力を従来の3倍に向上
富士通と富士通研究所は、出力を従来の3倍とした、窒化ガリウム−高電子移動度トランジスタ(GaN−HEMT)を開発した。気象レーダーや5G(第5世代無線通信)システムなどの用途に向ける。(2018/8/14)

安価で高感度なセンサーを可能に:
東大、低ノイズの有機トランジスタを作製
東京大学は、ノイズが極めて小さい有機トランジスタを作製することに成功した。安価で高感度のセンサーデバイス開発が可能となる。(2018/7/25)

高集積化への糸口をつかむ:
有機トランジスタで多値演算、フレキシブルデバイスに
物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点量子デバイス工学グループの若山裕グループリーダーと早川竜馬主任研究員らによる研究グループは2018年7月、有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功したと発表した。(2018/7/4)

NXP MRF101AN、MRF300AN:
汎用パッケージを採用したRFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、汎用的なTO-220、TO-247パワーパッケージを採用したRFパワートランジスタ「MRF101AN」「MRF300AN」を発表した。筐体への垂直実装やプリント配線板(PCB)裏面への実装が可能で、ヒートシンクも簡素化できる。(2018/6/14)

18年後半にはEUV適用の7nmも:
Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か
Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。(2018/5/25)

スピントランジスタ実現に道筋:
磁性絶縁体を用いグラフェンのスピン方向を制御
量子科学技術研究開発機構(QST)らの研究チームは、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現に欠かすことができない、電子スピンの向きを制御する技術を開発した。(2018/4/9)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

高効率動作と小型化が可能に:
大電流で高耐圧、高速動作のGaNパワーデバイス
パナソニックは、大電流、高電圧での高速スイッチング動作を実現した絶縁ゲート(MIS:Metal Insulator Semiconductor)型GaNパワートランジスターを開発した。(2018/2/27)

新構造のSWITCH-MOSを開発:
耐圧1200V級のオールSiCモジュールを可能に
産業技術総合研究所(産総研)の研究グループらは、耐圧1200V級のショットキーバリアダイオード内蔵SiC(炭化ケイ素)トランジスターを開発し、量産試作品レベルでその性能や信頼性を実証した。【訂正】(2017/12/26)

高出力GaN-HEMTアンプに向けて:
SiCと単結晶ダイヤモンドの常温接合に成功
富士通と富士通研究所は2017年12月7日、SiC(炭化ケイ素)基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。GaN(窒化ガリウム)を用いたHEMT(高電子移動度トランジスタ)パワーアンプの放熱性を高めることのできる技術で、GaN-HEMTの高出力化への貢献が期待される。(2017/12/11)

LSIの低消費電力化に向けて:
量子トンネルFETを酸化物半導体とSi系材料で実現
東京大学大学院工学研究科教授の高木信一氏らは2017年12月4日、極めて小さな電圧制御で動作可能な量子トンネル電界効果トランジスタを開発したと発表した。(2017/12/5)

福田昭のデバイス通信(122) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(6):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午後(その2):次世代トランジスタを狙う負性容量FET技術
12月5日午後の注目講演を紹介する。負性容量トランジスタ、シリコンフォトニクス、非シリコン材料による高耐圧パワーデバイスなどの研究成果が発表される。(2017/11/24)

さらなる大容量通信の実現に向け:
開発が進むテラヘルツ波無線用トランジスタ
NICT(情報通信研究機構)は、テラヘルツ波無線通信向け電子デバイスを開発中だ。ミリ波よりもさらに周波数が高いテラヘルツ波は、より高速、大容量の無線通信を実現できる可能性があるが、これまで、信号を扱うための技術開発があまり進んでいなかった。(2017/11/14)

福田昭のデバイス通信(118) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(2):
IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ
技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ(ReRAM)や、折り曲げ可能な電子回路(フレキシブルエレクトロニクス)関連で、興味深い講演が多い。(2017/11/9)

Intelの10nm、GFの7nm:
最先端プロセスの最新論文が一堂に IEDM 2017
2017年11月に米国で開催される「IEDM」では、IntelやGLOBALFOUNDRIES(GF)が、それぞれの最先端プロセスの詳細を発表するようだ。その他、FinFETに代わる次世代トランジスタ技術に関する論文発表などが相次ぐ。(2017/10/20)

福田昭のストレージ通信(79) 強誘電体メモリの再発見(23):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(後編)
前編に続き、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)で多値メモリを実現する仕組みを解説する。特に、2つのドメインで構成されたFeFETの長期信頼性の評価に焦点を当てる。(2017/10/2)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

福田昭のストレージ通信(76) 強誘電体メモリの再発見(20):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
今回から、「二酸化ハフニウム系強誘電体材料」を使った強誘電体トランジスタ(FeFET)の研究開発状況を報告する。二酸化ハフニウム系強誘電体薄膜は、厚みがわずか7nm程度でも強誘電性を有することが確認されていて、このため、FeFETを微細化できることが大きな特長となっている。(2017/9/15)

福田昭のストレージ通信(75) 強誘電体メモリの再発見(19):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
強誘電体トランジスタ(FeFET:Ferroelectric FET)の研究をけん引したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。後編では、産総研が開発したFeFETと、強誘電体不揮発性メモリを、同研究所の成果発表に沿って紹介していこう。(2017/9/12)

磁気力によるイオン輸送を利用:
NIMS、磁場のみで動作するトランジスタ開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、磁気でイオンを輸送するという、これまでとは異なる原理で動作するトランジスタを開発した。(2017/9/11)

福田昭のストレージ通信(74) 強誘電体メモリの再発見(18):
従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発(前編)
強誘電体トランジスタ(FeFET)の原理は比較的単純だが、トランジスタの設計と製造は極めて難しい。1990年代前半から開発が続く中、約30日というデータ保持期間を強誘電体トランジスタで初めて実現したのは、日本の産業技術総合研究所(産総研)だった。(2017/9/7)

福田昭のストレージ通信(73) 強誘電体メモリの再発見(17):
究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
今回は、1個のトランジスタだけでメモリセルを構成できる「FeFET(Ferroelectric FET)」または「強誘電体トランジスタ」について解説する。FeFETは、構造はシンプルだが、トランジスタの設計はかなり複雑になる。(2017/9/5)

既存の微細プロセスを適用可能:
分子を用いた縦型共鳴トンネルトランジスタ
物質・材料研究機構(NIMS)らの研究グループは、分子を量子ドットとして用いた縦型共鳴トンネルトランジスターを作製し、その動作を実証することに成功した。(2017/8/4)

NXP MRF13750H:
67%効率で750Wを出力できるパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、50VシリコンLDMOSをベースにした、915MHzアプリケーション向けパワートランジスタ「MRF13750H」を発表した。915MHz時に、67%の効率で750W出力を提供できる。(2017/7/10)

NXP AFV10700H:
UAV用トランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ
NXPセミコンダクターズは、無人航空機(UAV)用のトランスポンダー向けRF LDMOSトランジスタ「AFV10700H」を発表した。サイズはクレジットカードの約半分と小型ながら、最大700W出力を可能にした。(2017/6/27)

FinFET代替なるか:
IBM、5nmナノシートで画期的成果を発表
IBMなどが積層シリコンナノシートをベースにした新しいトランジスタ(シリコンナノシートトランジスタ)アーキテクチャを開発した。5nmノードの実現に向けて、FinFETに代わる技術として注目される。(2017/6/12)

人工知能ニュース:
210億のトランジスタから構成される、第7世代のGPUアーキテクチャを発表
米NVIDIAは、210億のトランジスタから構成される第7世代のGPUアーキテクチャ「Volta」と、Voltaをベースとしたプロセッサ「NVIDIA Tesla V100 データセンター GPU」を発表した。(2017/5/29)

使い捨てできるほど安くなる?:
薄膜にTFTを印刷、安価なディスプレイが実現か
アイルランドの研究機関が、標準的な印刷プロセスを使って、薄膜にTFT(薄膜トランジスタ)を印刷する技術を開発したと発表した。グラフェンや金属カルコゲナイドなどの2次元物質を用いたもので、実用化されれば、使い捨てにできるほど安価なディスプレイを製造できる可能性がある。(2017/4/27)

NXP MRFX1K80:
最大65Vに対応する1800Wの連続波RFトランジスタ
NXPセミコンダクターズは、最大65Vまでの電源電圧に対応する新たなLDMOS技術を発表した。併せて、同技術をベースとした連続波(CW)RFトランジスタ「MRFX1K80」を開発し、サンプル提供を開始した。(2017/4/26)

AEC-Q101準拠GaNでいよいよ自動車にも:
PR:GaNで魅力をプラス! GaNパワートランジスタで差異化を図った製品が続々登場
GaNパワーデバイスを用いた機器の製品化が相次いでいる。先日開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2017」でも、GaNのメリットを生かした革新的な製品が披露され大きな注目を集めた。そこで本稿では、車載向け信頼性基準AEC-Q101準拠品なども登場しているGaNパワートランジスタを搭載した製品を詳しく見ていきながら、GaNの魅力や、GaNは本当に使えるデバイスなのかを確かめていく。(2017/4/24)

電気特性劣化の要因特定が可能に:
多結晶Siトランジスタの性能と結晶性の関係を評価
東芝は、薄膜多結晶シリコン(Si)トランジスタのチャネル(電流経路)部の性能と結晶性の関係を可視化する技術を開発した。その結果、個々の多結晶トランジスタの性能が結晶粒の平均的な大きさだけでなく、トランジスタのチャネル部を横断する結晶粒界の有無にも大きく依存することが明らかになった。(2017/4/10)

微細化の限界に備える:
半導体業界がポストCMOS開発に本腰
2017年3月に、「CMOSトランジスタの微細化は2024年ごろに終息する」との予測が発表された。半導体業界は今、ポストCMOSの開発をより一層加速しようとしている。(2017/4/3)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

5.8K以下で電気抵抗ゼロに:
東大ら、単一ナノチューブで超伝導特性を初観測
東京大学らの研究グループは、二硫化タングステンナノチューブがトランジスタに動作し、超伝導特性が発現することを発見した。(2017/2/24)

イノベーションは日本を救うのか 〜シリコンバレー最前線に見るヒント〜(11):
もしもショックレーがカリフォルニアに来なかったら
今回は、話をシリコンバレーの歴史に戻してみたい。現在のシリコンバレーに発展する源泉を作ったのは、トランジスタの発明者であるウィリアム・ショックレーであろう。では、彼がいなければ、シリコンバレーはどうなっていたのだろうか。(2017/2/3)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

電子ブックレット(EDN):
GaNに対する疑念を晴らす
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、シリコンの限界を超えて設計を深化させることが可能なGaNパワートランジスタの本当の利点を引き出すために必要なことを解説します。(2017/1/1)

頭脳放談:
第199回 時代は再び真空管へ?
いまや真空管を見かけることはほとんどない。しかし、電気的な性能でトランジスタに負けていたわけではない。カリフォルニア大学サンディエゴ校が新しい真空管(?)を開発したという。その特徴は……。(2016/12/21)

3分の1スケーリングで実証:
東工大、微細化でIGBTのオン抵抗を半減
東京工業大学は、微細加工技術によりシリコンパワートランジスタの性能を向上させることに成功したと発表した。従来に比べオン抵抗を約50%低減できることを実証した。(2016/12/7)

トンネルFET:
新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功
産業技術総合研究所は2016年12月5日、新原理のトランジスタ「トンネルFET」を用いたLSIの動作実証に成功したことを明らかにした。(2016/12/6)

採用事例も紹介:
窒化ガリウム、D級オーディオの音質と効率を向上
窒化ガリウム(GaN)ベースのスイッチング・トランジスタを用いたD級オーディオ・アンプの実用化が始まっている。これまでD級オーディオシステムで用いられてきたシリコン(Si)ベースのトランジスタはどういった課題を抱えてきたのかを振り返りつつ、GaNベースのトランジスタを紹介する。(2016/12/9)

NXP Airfast 3 RFパワートランジスタ:
マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、1805M〜2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53%の効率を達成している。(2016/10/26)

ムーアの法則“延命”の鍵?:
ゲート長1nmのトランジスタ、CNT活用で米が開発
米国のローレンスバークレー国立研究所が、カーボンナノチューブ(CNT)をゲートに用いて、ゲート長がわずか1nmのトランジスタを開発した。(2016/10/17)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

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