ハイサイド/ローサイド両対応のゲートドライバIC、最大出力電流は4A：TI UCC27210/UCC27211

　日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2012年1月、nチャネルパワーMOSFET向けゲートドライバIC「UCC27210/UCC27211」を発表した。1個のICで2個のMOSFETを駆動可能で、ハイサイドとローサイドスイッチどちらの構成にも対応する。ハイサイドスイッチへの最大印加電圧は「業界初」（同社）となる120Vを実現した。最大出力電流は、シンク時/ソース時とも4Aとなっている。主な用途は、通信機器やサーバ、産業用機器に用いられる、ハーフブリッジ方式やフルブリッジ方式のスイッチング電源など。既に量産を開始している。1000個購入時の単価は1.5米ドル。

　入力信号形式は、UCC27210が疑似CMOS、UCC27211がTTLである。両製品とも、信号入力端子にかかる直流電圧範囲の下限として−10Vを保証している。このため、ゲート駆動用トランスとの接続に整流ダイオードを用いる必要が無い。プルアップ抵抗とプルダウン抵抗は0.9Ωと低いことからスイッチング損失を最小化できるという。伝播遅延時間はUCC27210が21〜24ns、UCC27211が17〜18ns。遅延マッチング特性はUCC27210が3ns、UCC27211が2nsである（いずれも定格値）。

　その他の仕様は以下の通り。電源電圧範囲は8〜17V。パッケージは、8端子SOIC、8端子PowerPAD SOIC-8、4mm角の8端子SON、4mm角の10端子SONから選択できる。動作温度範囲は−40〜140℃となっている。

　また同社は、UCC27210/UCC27211とともに、2個のパワーMOSFET/IGBTを駆動可能でローサイドスイッチ構成に対応するゲートドライバIC「UCC27524」も発表している。最大出力電流が、シンク時/ソース時とも5Aと大きいことを特徴とする。UCC27524の1000個購入時の単価は0.7米ドルである。