待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近：電子ブックレット（EDN）

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待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「＠IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEDN Japanの人気記事「待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近」をお届けします。

待望の次世代パワー半導体、SiC/GaNデバイスは離陸間近

シリコン材料をベースとするパワー半導体と比べて、高速かつ低損失で動作する特性を備えているのが、SiCやGaNなどのワイドギャップ材料を用いた次世代のパワー半導体である。これまで、高いコストや歩留まりの低さなどによって、SiC/GaNデバイスの量産はなかなか立ち上がらなかった。しかし、2010年以降、複数のメーカーによる量産化の取り組みが加速している。

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