メディア

実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN電子ブックレット(EDN)

「TECHNO-FRONTIER 2012(テクノフロンティア2012)」では、パワー半導体を手掛ける各社が次世代材料のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)を用いた素子やモジュールをこぞって展示した。これらの次世代パワー半導体は、素子単体やモジュールとしての製品化が進んでおり、白物家電から鉄道用インバータに至るまで、さまざまな分野の最終製品への搭載も始まっている。ただし当面は、コストや実績で圧倒的な優位にあるSi(シリコン)ベースのパワー半導体が主流であり続けるだろう。そのSiパワー半導体も改善が続いており、今回はIGBTなどの新型品がお目見えした。

» 2012年07月26日 07時00分 公開
[EDN Japan]

「電子ブックレット(EDN)」一覧

エンジニア電子ブックレット

実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「@IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日は、2012年7月11〜13日に東京ビッグサイトで開催された「TECHNO-FRONTIER 2012」より、パワー半導体関連のリポートをお届けします。



実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN

アイコン

「TECHNO-FRONTIER 2012(テクノフロンティア2012)」では、パワー半導体を手掛ける各社が次世代材料のSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)を用いた素子やモジュールをこぞって展示した。これらの次世代パワー半導体は、素子単体やモジュールとしての製品化が進んでおり、白物家電から鉄道用インバータに至るまで、さまざまな分野の最終製品への搭載も始まっている。ただし当面は、コストや実績で圧倒的な優位にあるSi(シリコン)ベースのパワー半導体が主流であり続けるだろう。そのSiパワー半導体も改善が続いており、今回はIGBTなどの新型品がお目見えした。


電子ブックレットのダウンロードはこちら→実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN


・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。
・電子ブックレットは無償でのご提供となりますが、アイティメディアIDへの登録が必要となります。登録ユーザーではない場合や、登録済みのプロファイルに一部不足がある場合などは、ダウンロードリンクをクリックすると登録画面へジャンプします。
・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.