10nm世代以降のクアッドパターニング対応したフォトマスクエッチング装置：アプライド マテリアルズ Applied Centura Tetra Z Photomask Etch

　アプライド マテリアルズは2015年4月、マルチパターニングを10nm世代以降に拡大する、次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置「Applied Centura Tetra Z Photomask Etch」を発表した。高いフォトマスクエッチング性能と欠陥制御機能により、今後のロジック/メモリデバイスに必要とされる、高度なパターニング仕様に対応するという。

　Applied Centura Tetra Z Photomask Etchは、精密材料技術とプラズマ反応法則を活用し、波長193nmリソグラフィの有用性を拡張するフォトマスクエッチング装置。バイナリマスクや位相シフトマスク（PSM）の製造に用いられるクロム、MoSi（酸窒化ケイ素モリブデン）、ハードマスク、石英（シリカガラス）などを使用した高度なエッチングアプリケーションに対応している。

次世代光リソグラフィ用のフォトマスクエッチング装置のイメージ

オングストローム単位の精密な寸法CD制御性

　同社のTetraプラットフォームの機能を拡張し、フォトマスクのオングストローム単位の精密な寸法（CD）制御性を可能にした。あらゆる加工寸法とパターン密度に対し、一様なエッチング精度を保つため、欠陥発生率は実質的にゼロになるという。

　さらに、高いCD制御性能とエッチング選択比により、より薄いレジスト膜が使用できる。これにより、重要なデバイス層に微細なフォトマスクCDパターンを施すことが可能になるという。また、CDバイアス制御機能を搭載したことで、ユーザー固有の要件にも柔軟に対応できる。独自の石英エッチング深さ制御機能では、位相角の精度を確保し、交互開口PSMやクロムレス位相リソグラフィなどが利用できる。