IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化：電源設計（3/4 ページ）

» 2015年06月09日 12時00分公開

ダイ温度の計算

　パッケージ内の2つのダイの温度を正確に計算するためには、両方の自己発熱の相互作用を考慮することが重要です。これには、ダイオードの熱抵抗、IGBTの熱抵抗、ダイの相互作用Psiという、3つの定数が必要です。メーカーによっては、パッケージに対して1つの熱抵抗を公表していますが、この場合、ダイ温度は単に見積りであり、実際は精度に大きなばらつきがある可能性があります。

　IGBTおよびダイオードの熱抵抗の図は、デバイスのデータシートに含まれています。安定状態の熱抵抗は、図7および図8のように示されています。IGBTの場合は、0.470℃/W、ダイオードの場合は1.06℃/Wとなっています。計算にはもう1つの熱係数が必要で、これが2つのダイ間の熱の相互作用定数であるPsiです。テストでは、TO-247、TO-220、および同様のパッケージの場合、約0.15℃/Wであることが示され、下記の例はそれを使用しています。