宇宙産業用耐放射線パッケージのGaN FETとドライバー：ルネサス ISL7002xSEH、ISL70040SEH

軍用温度範囲での使用に対応

　ルネサス エレクトロニクスは2018年2月、宇宙産業向けに、耐放射線パッケージのGaN（窒化ガリウム）FET「ISL7023SEH」（100V、60A）、「ISL70024SEH」（200V、7.5A）とローサイドGaN FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。ISL7002xSEHは9.0×4.7mmのSMDパッケージ、ISL70040SEHは密閉型8リード6×6mmのSMDパッケージで提供される。

GaN FET電源ソリューション「ISL7002xSEH」「ISL70040SEH」

　ISL7002xSEHは、Efficient Power Conversion社のベースダイを使用し、MIL-PRF-38535クラスVに類似したフローで製造される。−55〜125℃（ジャンクション温度は150℃まで）の軍用温度範囲での使用が可能で、ロットごとの耐放射線性は高線量率で100krad（Si）、低線量率で75krad（Si）を保証する。

　ISL7023SEHは、ドレインソース間オン抵抗が5mΩ、総ゲート電荷量が14nCと低く、ドレインソース電圧が100V、ゲートソース電圧が0Vとなる。また、ISL70024SEHは、ドレインソース間オン抵抗が45mΩ、総ゲート電荷量が2.5nC、ドレインソース電圧が160V、ゲートソース電圧が0Vとなる。

　ISL7002xSEHを駆動するISL70040SEHは、電源電圧が4.5〜13.2Vで、出力を分割してFETのターンオン速度とターンオフ速度を調整する機能を持つ。高周波動作で大電流ソースおよびシンク能力を提供し、反転と非反転の両方のゲート駆動を実施する。また、ロジック入力に対するフェイルセーフ保護機能を備え、意図しないスイッチングを防止する。

　軍用温度範囲での使用が可能で、86MeV・cm²/mgの線エネルギー付与（LET）では、最大16.5Vまでのシングルイベント効果（SEE）に耐性を持つ。ウエハーごとの耐放射線性保証は、高線量率で100krad（Si）、低線量率で75krad（Si）。アメリカ国防兵站局SMD 5962-17233に準拠した電気的特性を保証する。

　同社によると、宇宙産業向けとしては初の耐放射線パッケージになるという。打ち上げ機や人工衛星、ダウンホール掘削、高信頼性工業用途の1次および2次DC-DCコンバーター電源に使用できるとしている。