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リアルタイムデータログに適した4MビットFRAM：富士通セミコン MB85RS4MT

富士通セミコンダクターは、4Mビットの不揮発性FRAM「MB85RS4MT」を発表した。10兆回の書き換えが可能で、高速での書き込み、低消費電力を特長とする。

» 2018年09月18日 09時00分公開

[EDN Japan]

書き換え保証回数は10兆回

　富士通セミコンダクターは2018年9月、4Mビットの不揮発性FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）「MB85RS4MT」を発表した。現在、量産品を提供中。リアルタイムでの頻繁なデータログを必要とするドライブレコーダーや工作機械、計測装置、メーター、民生機器などのアプリケーションを見込む。

4MビットFRAM「MB85RS4MT」

　FRAMは、強誘電体膜をデータ保持のキャパシターに利用しており、電源を切ってもデータを保持できる。データの書き込みが高速で、書き換え回数も多いなど、ROMとRAMの長所を併せ持つメモリだ。

汎用EEPROMとの書き換え回数比較

　MB85RS4MTは、書き換え保証回数が10兆回。これは同じ不揮発性メモリの汎用EEPROMと比べて約1000万倍の回数となる。データの書き込みは、セクターを消去せず上書きのみのため、高速で書き込み可能だ。瞬断など電圧低下が発生した場合でも、書き込み中のデータを保護できる。

汎用EEPROMとの書き込み時間比較

　インタフェースはSPIを搭載。動作周波数は最大40MHzで、電圧1.8～3.6Vで動作する。また、消費電力が極めて少なく、動作電流が最大250μA（1MHz動作時）、スタンバイ電流最大50μAとなっている。パッケージは8ピンSOPで、既存のEEPROMからの置き換えも容易だ。

温度上限を40℃拡大し125℃の高温に対応したFRAM
富士通セミコンダクターは、125℃の高温環境下でも動作する128KビットFRAM「MB85RS128TY」と256KビットFRAM「MB85RS256TY」を開発した。従来のFRAM製品に比べ、温度上限を40℃拡大している。
容量1MビットのI2C FRAM
富士通セミコンダクターは、I2CインタフェースタイプのFRAM（強誘電体メモリ）として、同社最大となる1Mビット容量の「MB85RC1MT」のサンプル出荷を開始したと発表した。
54Mbpsのデータ転送ができるクワッドSPI FRAM
富士通セミコンダクターは、4MビットクワッドSPI FRAM「MB85RQ4ML」のサンプル提供を開始した。108MHz動作で54Mバイト／秒のデータ転送速度を可能にしている。
無限の書き込み耐性を搭載したEERAMメモリ
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フローティングゲートをアナログ領域で生かす
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