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» 2019年04月10日 09時00分 公開

オン・セミコンダクター NTHL080N120SC1、NVHL080N120SC1:1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET

オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。

[EDN Japan]

 オン・セミコンダクターは2019年3月、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品2種を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」とAEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」で、ワイドバンドギャップ技術により、高い電力密度と高効率動作を提供する。

高周波数動作、高電力密度

 低リーク電流と高周波数での動作、高電力密度を特徴とし、低逆回復電荷を有する高速固有ダイオードによって電力損失を低減できる。デバイスキャパシタンスが小さく、高周波数でスイッチする能力をサポートするため、EMI(電磁干渉)を軽減できる。また、低順方向電圧と組み合わせた低Eon、Eoffおよび高速ターンオン、オフにより、全電力損失を低減する。

NチャンネルSiC MOSFET「NTHL080N120SC1」「NVHL080N120SC1」

 NVHL080N120SC1は、高サージ電流に耐えるよう設計され、短絡に対する高いアバランシェ能力と堅牢性を備えた。AEC-Q101認証を取得し、車載アプリケーションに対応する。

 ドレイン-ソース間電圧は1200V、オン抵抗は80mΩ、ドレイン電流は20A。動作温度は、NTHL080N120SC1が−55〜150℃、NVHL080N120SC1が−55〜175℃となる。TO247-3LDパッケージで提供され、電気自動車用の車載DC-DCやオンボードチャージャー、太陽光発電、無停電電源、サーバ電源などの用途を見込む。

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