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» 2019年05月15日 09時00分 公開

ルネサス ISL71043M、ISL71040M:耐放射線PWMコントローラーとFETドライバー

ルネサス エレクトロニクスは、プラスチックパッケージを採用した耐放射線PWMコントローラー「ISL71043M」と、窒化ガリウムFETドライバー「ISL71040M」を発表した。

[EDN Japan]

 ルネサス エレクトロニクスは2019年4月、プラスチックパッケージを採用した耐放射線PWMコントローラー「ISL71043M」と、窒化ガリウム(GaN)FETドライバー「ISL71040M」を発表した。主な用途として、衛星バスとペイロードの絶縁型フライバック、ハーフブリッジ、モーター制御ドライバー回路などを想定している。

PWMコントローラー「ISL71043M」と窒化ガリウムFETドライバー「ISL71040M」のイメージ

放射線に強いプラスチックパッケージを採用

 SOICプラスチックパッケージのISL71043Mは、4×5mmと小型で、セラミックパッケージと比較すると基板面積が最大3分の1になる。高速信号の伝搬と出力スイッチングが可能だ。

 動作電圧は9〜13.2Vで、消費電流は最大5.5mAと少ない。電流制限閾値は±3%。動作周波数は最大1MHzまで調整可能で、1A MOSFETゲートドライバーや1.5MHz帯域幅エラーアンプを内蔵している。

 ISL71040Mは、4.5〜13.2Vの供給電圧で動作し、ゲート駆動電圧(VDRV)は4.5V。反転および非反転入力の両方に対応し、絶縁型トポロジーと昇圧型の構成で、同社の耐放射線GaN FETを安全に駆動する。

 出力を分割することでターンオン速度とターンオフ速度を調整し、高電流のソースとシンク能力により高周波数で稼働できる。全温度範囲、放射線環境下でもゲート駆動電圧を−5〜+3%に制御して、GaN FETを確実に稼働する。また、ゲートドライバーにUVLO(低電圧誤動作防止機能)を内蔵。4×4mmのTDFNパッケージで販売中だ。

 両製品ともに、最大30krads(Si)のトータルドーズ効果(TID)とシングルイベント効果(SEE)において、43MeV/cm2/mgの線エネルギー付与(LET)での特性検査を実施している。動作温度範囲は−55〜+125℃だ。

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