メディア
ニュース
» 2019年08月26日 09時00分 公開

ビシェイ SiSS22DN:電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET

ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8%低い。

[EDN Japan]

 ビシェイ・インターテクノロジーは2019年8月、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は10Vで4mΩ。AC-DCおよびDC-DCトポロジーの同期整流、DC-DCコンバーターの1次スイッチングなどの用途に対応する。

NチャネルMOSFET「SiSS22DN」

ゲート電荷22.5nC、出力電荷34.2nC

 ゲート電荷は22.5nC、出力電荷は34.2nCと低く、スイッチングトポロジーの効率性と電力密度を向上できる。オン抵抗は競合製品に比べて4.8%低い。出力電荷34.2nCは、クラス最高レベルのオン抵抗と出力電荷の積、または性能指数(FOM)を提供するという。

 標準ゲートしきい値電圧とミラープラトー電圧は、6V以上のゲート駆動電圧回路向けに強化。最適なダイナミック特性を提供することで、同期整流アプリケーションにおけるデッドタイムを短縮し、シュートスル−を防止する。

 3.3×3.3mmのPowerPAK 1212-8Sパッケージを採用し、PCBスペースを従来比65%削減する。全数RgおよびUIS試験済みで、RoHSに準拠する。現在、サンプルと製品を提供している。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.