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650Vの高電圧高効率GaN FET：Nexperia GAN063-650WSA

Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。

» 2019年12月09日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2019年11月、650Vの高電圧高効率GaN（窒化ガリウム）FET（電界効果トランジスタ）「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。

高効率GaN FET「GAN063-650WSA」の製品イメージ

量産に対する拡張性が高く、堅牢なデバイス

　GAN063-650WSAは、ゲートソース電圧±20V、動作温度範囲－55～＋175℃の堅牢なデバイスだ。TO-247パッケージで提供する。ドレイン－ソース間オン抵抗が60mΩと低く、高速スイッチング特性を有する。

　同社のGaN-on-Si（ケイ素）プロセスにより製造され、既存のシリコン製造設備におけるウエハー加工が可能なため、量産に対する拡張性が高い。

　電動自動車のほか、データセンター、情報通信インフラ、産業オートメーション、ハイエンド電源など、高性能アプリケーション領域に活用できる。

定格温度175℃のダイオードとトランジスタ
Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。
車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D（デュアルパワーSO8）パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS（Antilock Brake System）などに向く。
最大10kW対応の600V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。
電力、効率が向上したGaNベースAC-DCコンバーターIC
パワー・インテグレーションズは、オフラインCV/CCフライバックスイッチング電源用IC「InnoSwitch3」ファミリーに、窒化ガリウム（GaN）をベースにしたAC-DCコンバーターICを追加した。
650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用
トランスフォームは、同社の高電圧650V GaN（窒化ガリウム）FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC（力率改善）プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。
宇宙産業用耐放射線パッケージのGaN FETとドライバー
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに、耐放射線パッケージのGaN（窒化ガリウム）FET「ISL7023SEH」（100V、60A）、「ISL70024SEH」（200V、7.5A）と、ローサイドGaN FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。