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» 2020年01月15日 09時00分 公開

トレックス XP231N0201TR:30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET

トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。

[EDN Japan]

 トレックス・セミコンダクターは2019年12月、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。現在量産中で、参考価格は100円(税別)。低オン抵抗、高速スイッチング特性を可能にしている。

汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」

ゲート保護ダイオードを内蔵

 XP231N0201TRは、静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。オン抵抗は5.0Ω、駆動電圧は2.5V。ゲートソース間電圧(VGSS)は±20V、ドレイン電流(DC)は0.2Aとなる。

 ターンオン遅延時間は7ナノ秒、ターンオフ遅延時間は20ナノ秒、立ち上がり時間(tr)は5ナノ秒、立ち下がり時間(tf)は8ナノ秒。ジャンクション温度は150℃、保存温度は−55〜+150℃。

 パッケージは2.9×2.4×1.15mmのSOT-23(TO-236)を採用している。ピン数は3で、EUのRoHS指令、Pbフリー対応。リレー回路、スイッチング回路などの用途を見込む。

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