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» 2020年03月17日 09時00分 公開

東芝 XK1R9F10QB:低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET

東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。

[EDN Japan]

 東芝デバイス&ストレージは2020年2月、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。同社の最新世代プロセスを採用したトレンチ構造MOSFET「U-MOS X-H(ユーモス テンエイチ)」シリーズの第1弾製品で、既に量産出荷を開始している。

100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」

最大1.92mΩの低オン抵抗

 大きさは10.0×13.0×3.5mmで、3ピンの低抵抗パッケージのTO-220SM(W)を採用。最大オン抵抗は1.92mΩで、従来品「TK160F10N1L」と比べて約20%低く、機器の低消費電力化に貢献する。ドレインソース間電圧は100V、ドレイン電流(DC)が160A、チャンネル温度は175℃。

 MOS構造を最適化することでスイッチングノイズを削減しており、機器のEMI(電磁妨害)も低減できる。しきい値電圧幅は1Vで、並列使用時のスイッチング同期性にも貢献する。

 AEC-Q101に適合し、ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど車載機器での利用を見込む。

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