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SBDベースのSiCパワーモジュールMicrochip Technology SiC SBDモジュール

Microchip Technologyは、民生用ショットキーバリアダイオード(SBD)ベースのSiCパワーモジュールファミリーの提供を開始した。700V、1200V、1700V品をそろえる。

» 2020年04月10日 09時00分 公開
[EDN Japan]

 Microchip Technologyは2020年3月、民生用ショットキーバリアダイオード(SBD)ベースのSiC(炭化ケイ素)パワーモジュールファミリーの提供を開始した。700V、1200V、1700V品を用意する。

SiC SBDモジュールファミリー

 新たに提供を開始したSiC SBDモジュールは、デュアルダイオードやフルブリッジ、位相レグ、デュアル共通カソード、3相ブリッジなど、さまざまな回路方式が選択できる。

複数のSiCダイオードダイを統合

 サブストレートおよびベースプレート材料を組み合わせ、複数のSiCダイオードダイを1つのモジュールに統合した。設計を簡素化したことで、スイッチング効率を改善したほか、温度上昇を抑制してフットプリントを縮小した。

 アバランシェ電圧が高いためスナバ回路を必要とせず、内部のボディーダイオードを使用できる。開発ツールとして、「30kW 3-Phase Vienna Power Factor Correction(PFC)」を提供している。 

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