低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET：三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-N

三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。

» 2020年07月08日 09時00分公開

[EDN Japan]

　三菱電機は2020年6月、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種を発表した。サンプル提供を同年7月に開始する。サンプル価格は1600～6000円（税別）。

パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ

　JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する「JFETドーピング技術」を用いたSiC-MOSFETを採用。これにより、低オン抵抗と低スイッチング損失の両立が可能になった。パワーMOSFETの性能を示すFOMは1450mΩ・nCで、Si-IGBTを用いた従来品と比較して、電力損失が約85％低減した。

誤動作耐量を約14倍改善

　また、誤動作を誘引する帰還容量（MOSFETのゲートとドレイン間の寄生容量）を低減したことで、他社のSiC-MOSFETを用いた製品と比較して誤動作耐量を約14倍改善した。

　低いスイッチング損失、高キャリア周波数駆動により、放熱機器やリアクトルなどの周辺部品を小型化できるため、車載充電器や太陽光発電などの電源システム全体を小型化し、コスト低減に寄与する。

　外形サイズは15.9×41.0×5.0mm。TO-247-3パッケージで提供する。なお、シリーズ6品種はRoHS指令に準拠し、そのうち3品種は車載用半導体規格「AEC-Q101」にも準拠している。

最大効率98.4％、車載向け650V耐圧MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、650V耐圧MOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。最大475Vのバッテリー電圧に対応するほか、ケルビンソース接続により、最大効率は98.4％まで向上する。
最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。
600V、低オン抵抗の低周波アプリケーション向けMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、低周波アプリケーション向けMOSFET「600V CoolMOS S7」ファミリーを開発した。アクティブブリッジ整流やインバーター、PLC、ソリッドステートリレーなどの用途に適している。
低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。
48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。