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» 2021年02月19日 09時00分 公開

5Gマクロセル基地局向けRFデバイスルネサス マクロセル基地局向けRFデバイス

ルネサス エレクトロニクスは、5Gマクロセル基地局向けのRFデバイスとして、VGA、LNA、RFドライバアンプ、RFスイッチの4製品群を発売し、量産を開始した。同社のRFアンプや可変ゲインアンプと組み合わせて使用できる。

[EDN Japan]

 ルネサス エレクトロニクスは2021年1月、5Gマクロセル基地局向けのRFデバイスを発売した。クワッドチャネル可変ゲインアンプ(VGA)「F4481」「F4482」、デュアルチャンネル初段低ノイズアンプ(LNA)「F01xx」ファミリー、RFドライバアンプ「F1471」、RFスイッチ「F2934」の4種で、既に量産を開始している。

1チップにバラン、ローパスフィルター、アンプなど集積

 送信バス向けのF4481、F4482は、1チップにバランやローパスフィルター、アンプ、デジタルステップアテネーターを集積している。RF周波数範囲は、F4481が400M〜1100MHz、F4482が1300M〜2800MHzとなっている。

 F01xxファミリーは、−27dB入力、−23dB出力とリターンロスが低く、2600MHzでの雑音指数を0.55dBに抑えた。RF周波数範囲は「F0109」が650M〜1000MHz、「F0110」が1500M〜2300MHz、「F0111」が2500M〜2700MHzとなっている。

 F1471は、最大出力レベルが0.5W超のRFドライバアンプで、RF周波数範囲はゲイン17dBで400M〜4200MHz。2600MHzで+38dBmまでのOIP3と、28.5dBmのOP1dBを有する。

5Gマクロセル基地局向けのRFデバイス

 SP2T(単極双投)RFスイッチのF2934は、DPD(デジタルプリディストーション)フィードバックパス用に、3×3mmの小型QFNパッケージを採用した。アイソレーションは1GHzおよび2GHzで70dB、3GHzで74dB、4GHzで67dB。RF周波数範囲は、50M〜6000MHzとなっている。

 これらの製品群は、同社のRFアンプ「F1490」や可変ゲインアンプ「F0443」と組み合わせて使用できる。

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