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還流SiC-SBDを搭載したIGBTインフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT

インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を採用し、スイッチング損失を低減した。

» 2021年03月03日 09時00分 公開
[EDN Japan]

 インフィニオン テクノロジーズは2021年2月、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。

 同ファミリーは、同社の「650V TRENCHSTOP 5 IGBT」技術を用いたほか、ショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造を採用し、DC-DCパワーコンバーターやPFC(力率改善)に適する。

「CoolSiC Hybrid IGBT」(4ピン品)

スイッチング損失を低減

 IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を搭載したことにより、dv/dtおよび、di/dtの数値をほぼ変化させずに、スイッチング損失を大幅に低減した。一般的なシリコンダイオードを用いたソリューションと比較してEonを最大60%、Eoffを30%削減。出力電力要件を変えずにスイッチング周波数を最低でも40%増加できる。

 同製品は、同社従来品の「TRENCHSTOP 5 IGBT」との置き換えが可能で、スイッチング周波数10kHzごとに効率を0.1%向上する。TOパッケージを採用し、3ピン品と4ピン品の2種を用意。4ピン品は低インダクタンスのゲートエミッタ制御ループが可能で、総スイッチング損失を低減する。

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