産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール：東芝 MG800FXF2YMS3

東芝デバイス＆ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。

» 2021年03月05日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2021年2月、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。大電力スイッチング用途に適する。量産開始は同年5月の予定。

iXPLVパッケージを採用し、チャンネル温度定格は175℃

　パッケージには、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いiXPLV（intelligent fleXible Package Low Voltage）を採用しており、175℃までのチャンネル温度に対応する。

電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」

　ドレインソース電圧は3300V、ドレイン電流は800A、絶縁耐圧は6000Vrmsだ。寄生インダクタンスは12nHで、ターンオンスイッチング損失は250mJ、ターンオフスイッチング損失は240mJとなっている。

　鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システム、産業用モーター制御機器の効率化と小型化に貢献する。

還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオンテクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。
定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80％削減できる。
4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30％低減した。
パワー半導体の基礎知識
半導体分野の中でも、地味な存在と思われがちなパワー半導体。「パワー半導体って聞いたことはあるけど、よく分からない」という方も多いはず。でも、実は世の中の省エネ化の鍵を握る重要なデバイスです。パワー半導体の役割や働き、その種類などパワー半導体の「基礎の基礎」を紹介します。