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高効率、小型のショットキーバリアダイオード：ローム RBR、RBQシリーズ

ロームは、回路の整流や保護に適したショットキーバリアダイオード「RBR」「RBQ」シリーズに、それぞれ12製品を追加した。順方向電圧特性または逆方向電流特性に優れ、産業、民生、車載機器への利用を見込む。

» 2021年08月13日 19時00分公開

[EDN Japan]

　ロームは2021年8月、回路の整流や保護に適したショットキーバリアダイオード「RBR」「RBQ」シリーズに、それぞれ12製品を追加した。新規プロセスの導入により、従来品と同じチップサイズで性能を25％効率化した。産業機器や民生機器、車載機器への搭載を想定したAEC-Q101対応品も用意する。既に量産中で、サンプル単価は55円（税込）から。

ショットキーバリアダイオード「RBR」「RBQ」シリーズ

順方向電圧特性または逆方向電流特性に優れる

　RBRシリーズは、低順方向電圧（V_F）特性を特徴とし、低逆方向電流（I_R）特性を維持したまま、V_F特性を同サイズの従来品比で約25％低減し、低損失化を可能にする。2.5×1.3mmのPMDEパッケージ6機種12製品を追加し、実装面積の削減にも貢献する。これにより計140製品で、耐圧30V、40V、60V、電流1～40Aをカバーする。

　RBQシリーズは、低I_R特性が特徴。V_F特性とのバランスを取りながら、従来品から逆電力損失を60％低減し、高温環境下での安定動作を可能にする。100V対応6機種12製品を追加し、TO-252またはTO-263Sパッケージで提供。計38製品で、耐圧45V、65V、100V、電流10～30Aをカバーする。

　用途は、RBRシリーズがオンボードチャージャー、LEDヘッドランプ、カーアクセサリー、ノートPCなど、RBQシリーズが産業機器向け電源、オーディオ、ノートPC、xEV（電動化車両）、エンジンECU、AC-DC、DC-DC回路2次側整流などを想定している。

SBDベースのSiCパワーモジュール
Microchip Technologyは、民生用ショットキーバリアダイオード（SBD）ベースのSiCパワーモジュールファミリーの提供を開始した。700V、1200V、1700V品をそろえる。
還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオンテクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。
SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体
三菱電機は、SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを発表した。Siダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21％低減する。また、JBS構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。
車載カメラモジュール向けSerDes ICとPMIC
ロームは、車載カメラモジュール向けSerDes IC「BU18xMxx-C」とカメラ向けPMIC「BD86852MUF-C」を発表した。ADAS用カメラモジュールの小型化、低消費電力化、低EMI化、開発工数の削減に貢献する。
低ノイズで低損失の600V耐圧IGBTモジュール
ロームは、600V耐圧のIGBT IPM「BM6337x」シリーズを発表した。放射ノイズと電力損失を低減した、定格電流10～30Aの8種類を用意する。白物家電や産業機器のインバーターでの利用に適している。
150V GaN HEMTでの8V高ゲート耐圧技術を開発
ロームは、150V耐圧のGaN HEMTにおける8V高ゲート耐圧技術を開発した。定格電圧の増大により、電圧マージンもアップし、GaN HEMTを採用した電源回路の設計マージンや信頼性が高まる。