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5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET：Nexperia PSMN4R2-80YSE、PSMN4R8-100YSE

Nexperiaは、特定用途向けMOSFET（ASFET）として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166％拡大した。

» 2021年08月25日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2021年8月、特定用途向けMOSFET（ASFET）として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。電子ヒューズやバッテリーの保護を要する5G（第5世代移動通信）システム、48Vサーバ環境、産業機器のホットスワップ、ソフトスタート用途に適する。

特定用途向けMOSFET「PSMN4R2-80YSE」「PSMN4R8-100YSE」

安全動作領域を166％拡大

　ASFETは、特定の設計用途に最適化した、新しいタイプのMOSFETとなる。両製品は、同社のシリコン技術と銅クリップパッケージ構造を組み合わせ、安全動作領域（SOA）性能を強化。同社の前世代品と比較して、50V時にSOAが166％拡大している。データシートには、125℃のSOA特性が含まれる。

　パッケージには、Power-SO8互換の「LFPAK56E」を採用した。同パッケージは内部銅クリップ構造となっており、放熱および電気特性の向上につながる。サイズは5×6×1.1mmで、D2PAK品と比較してPCBフットプリントを80％、デバイスの高さを75％低減した。

　最大接合部温度は175℃で、通信および産業用途向け規格「IPC9592」に準拠する。オン抵抗は、PSMN4R2-80YSEが4.2mΩ、PSMN4R8-100YSEが4.8mΩとなる。

DPAK採用のパワーバイポーラトランジスタ
ネクスペリアは、車載および産業グレードのパワーバイポーラトランジスタ「MJD」シリーズに9製品を追加した。放熱性と電気特性に優れたDPAKパッケージで提供し、車載LEDやディスプレイ調光、モーター駆動などに適する。
1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。
低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。
低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。
車載グレードの80V PチャンネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31％低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。