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産業向け650V SiCショットキーダイオード：Nexperia PSC1065H（-J/-K/-L）

Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H（-J/-K/-L）」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧（VRRM）は650V、連続順方向電圧（IF）は10Aだ。

» 2021年11月25日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2021年11月、SiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオードとしては初製品となる、産業用電力変換アプリケーション向け「PSC1065H（-J/-K/-L）」を発表した。スイッチモード電源（SMPS）、AC-DCおよびDC-DCコンバーター、バッテリー充電インフラ、無停電電源（UPS）、太陽光発電インバーターでの利用を見込む。

650V 10A SiCショットキーダイオード「PSC1065H（-J/-K/-L）」

ピーク繰り返し逆電圧は650V、連続順方向電圧は10A

　PSC1065H（-J/-K/-L）のピーク繰り返し逆電圧（VRRM）は650V、連続順方向電圧（IF）は10A。沿面距離の長い高電圧準拠のリアル2ピン（R2P）パッケージを採用した表面実装のDPAK R2P、2PAK R2P、またはスルーホールのTO-220-2、TO-247-2に封入して提供する。

　エネルギー損失を抑え、温度に依存しない高速でスムーズなスイッチングを可能にした。シリコン製品の代わりに、電力効率と電力密度の高い大電力アプリケーションに対応し、システムコストと運用コストの低減に貢献する。

　現在はエンジニアリングサンプルを提供中で、2022年4～6月から本格的な生産を開始する。今後、高電圧ワイドバンドギャップ半導体製品の拡充に向け、産業および車載向け製品を追加し、6～20Aの範囲で650Vおよび1200V SiCデバイスを合計72製品提供する予定だ。車載グレード品は、オンボードチャージャー（OBC）、インバーター、高電圧DC-DCコンバーターでの利用を見込む。

1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード
Littelfuseジャパンは、1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。
高効率、小型のショットキーバリアダイオード
ロームは、回路の整流や保護に適したショットキーバリアダイオード「RBR」「RBQ」シリーズに、それぞれ12製品を追加した。順方向電圧特性または逆方向電流特性に優れ、産業、民生、車載機器への利用を見込む。
還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオンテクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。
SBDベースのSiCパワーモジュール
Microchip Technologyは、民生用ショットキーバリアダイオード（SBD）ベースのSiCパワーモジュールファミリーの提供を開始した。700V、1200V、1700V品をそろえる。
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。