「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

関連キーワード

トレックス XP23シリーズ:
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33〜5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2〜1.5Aとなっている。(2019/10/2)

三菱電機が開発:
窒素注入で低抵抗を実現したトレンチ型SiC-MOSFET
三菱電機は2019年9月30日、パワー半導体素子として、独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを開発したと発表した。耐圧1500V以上を確保しつつ、素子抵抗率において、従来のプレーナー型SiC-MOSFETに比べて約50%減となる1cm2当たり1.84mΩを実現したという。(2019/10/1)

組み込み開発ニュース:
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」(同社)の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。(2019/10/1)

スイッチング損失を35%も削減:
ローム、4端子パッケージのSiC MOSFETを量産
ロームは、4端子パッケージを採用した耐圧650V/1200VのSiC(炭化ケイ素) MOSFET「SCT3xxx xR」シリーズとして6機種を開発、量産を始めた。従来の3端子製品に比べて、スイッチング損失を35%も削減できるという。(2019/8/29)

ビシェイ SiSS22DN:
電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8%低い。(2019/8/26)

STマイクロ VIPer26K:
高耐圧パワーMOSFET内蔵のコンバーター
STマイクロエレクトロニクスは、1050V耐圧のNチャンネルパワーMOSFETを内蔵する高電圧コンバーター「VIPer26K」を発表した。単相および3相スマートメーター、3相の産業機器、エアコン、LED照明用の電源などで活用できる。(2019/8/20)

東芝デバイス&ストレージ:
主流はシリコンパワー半導体、EV市場に期待大
東芝デバイス&ストレージは、2019年4月、東京都内でパワー半導体に関する技術説明会を実施し、パワー半導体の市場予測や東芝のパワー半導体事業の現状などを説明した。東芝デバイス&ストレージでパワーデバイス技師長を務める川野友広氏は、現在の主流はシリコン製品であり、特に高性能が要求されるMOSFETとハイパワー製品(=IGBT)に注力するとしつつ、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの将来性にも触れ、「パワー半導体事業は非常に安定した事業だ。今後も製品開発と投資を継続していく」と語った。(2019/5/7)

オン・セミコンダクター NTHL080N120SC1、NVHL080N120SC1:
1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。(2019/4/10)

集積化で実現:
MOSFETを内蔵した降圧レギュレーターで電力密度を向上
集積化は半導体エレクトロニクスの基本であり、類似機能や補完機能を単一デバイスに統合する技術が、業界全体に活気をもたらします。パッケージング、ウエハー処理、リソグラフィの進歩と相まって、フィーチャ密度も上昇し続けており、物理的サイズと電力の両面においてより効率の良いソリューションの提供につながります。(2019/3/25)

業界最多の製品ラインアップ:
ローム、AEC-Q101準拠のSiC MOSFETを10機種追加
ロームは、車載向け個別半導体の信頼性規格「AEC-Q101」に準拠したSiC(炭化ケイ素) MOSFET「SCT3xxxxxHRシリーズ」として、10機種を新たに追加した。(2019/3/11)

STマイクロ MDmesh DM6ファミリー:
高速リカバリ対応の600V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリボディダイオードを内蔵した、600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーを発表した。(2019/2/15)

STマイクロ MDmesh M6シリーズ:
高効率のSJ型600V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、スーパージャンクション型の600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh M6」シリーズを発表した。低消費電力が求められる機器向けのLLC共振コンバーターやハードスイッチングトポロジにおいて、優れた効率を発揮する。(2019/1/18)

electronica 2018:
PCBにパワーMOSFETを埋め込む、Infineonの車載用デバイス
Infineon Technologiesは、「electronica 2018」で、GaNパワーデバイスの量産開始を発表。さらに、車載用パワーデバイスとして、PCBにパワーMOSFETを埋め込む「Chip Embedding」の技術を開発中であることも明かした。(2018/12/26)

インフィニオン IFX007T:
スマートハーフブリッジのモータードライバー
インフィニオンテクノロジーズは、pチャネルハイサイドMOSFET、nチャネルローサイドMOSFET、ドライバーICを1つのパッケージに組み込んだ、スマートハーフブリッジの高出力モータードライバー「IFX007T」の提供を開始した。(2018/12/4)

マキシム MAX20092:
車載照明用12スイッチマトリクスマネージャ
Maxim Integrated Productsは、12のスイッチが最大56Vまでの電圧を制御し、オン抵抗70mΩのMOSFETが最大1.5Aの電流を駆動する、車載照明用マトリクスマネージャIC「MAX20092」を発表した。(2018/10/24)

機器形状数十分の一、コスト半減:
FLOSFIA、MOSFETのノーマリーオフ動作を実証
京都大学発のベンチャー企業が、コランダム構造の酸化ガリウムを用いて、ノーマリーオフ型MOSFET(絶縁効果型トランジスター)の動作実証に成功した。(2018/8/15)

東芝 TPD7212F:
車載3相ブラシレスモーター用ゲートドライバ
東芝デバイス&ストレージは、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETのゲートドライバIPD「TPD7212F」を発表した。ハイサイドドライブ用のチャージポンプ回路を内蔵し、3相フルブリッジ回路を容易に構成できる。(2018/8/10)

ガルバニック絶縁を内蔵:
STマイクロ、パワー半導体向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETなどを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。(2018/8/7)

X線自由電子レーザーの利用拡大:
SiC-MOSFETを活用した4象限電源、理研などが開発
理化学研究所(理研)とニチコンらの共同研究グループは、SiC(炭化ケイ素)-MOSFETを用いることで、高い出力と安定性を両立させつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変更できるパルス電源を開発した。(2018/6/20)

Design Ideas 計測とテスト:
可動線輪型メーターとMOSFETで低電流を測定
今回は、可動線輪型メーターとMOSFETを用いて低電流を測定する回路を紹介する。(2018/6/4)

インフィニオン CoolSET:
周波数固定型PWMコントローラーと一体の電源IC
インフィニオンテクノロジーズは、PWMコントローラーとCoolMOS P7 MOSFETを一体化した周波数固定形電源IC「CoolSET」の第5世代品を発売した。(2018/4/26)

東芝 TPHR7904PB、TPH1R104PB:
車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品
東芝デバイス&ストレージは、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品「TPHR7904PB」「TPH1R104PB」を発表した。低抵抗で小型のパッケージを採用することで、低オン抵抗特性を実現した。(2018/4/25)

リテルヒューズ LSIC1MO120E01x0:
低オン抵抗の1200V耐圧SiC MOSFET新シリーズ
リテルヒューズは、1200VのNチャンネルエンハンスモードSiC MOSFET「LSIC1MO120E0120」シリーズと「LSIC1MO120E0160」シリーズを、2018年3月中旬から販売する。(2018/3/28)

定期交換部品を83%削減:
明電舎がIGBT方式の新型高周波電源を発売、故障率を低減しメンテナンス性を向上
明電舎は、IGBT方式を採用した新型高周波電源を発売。誘導加熱の原理を利用して発熱する高周波溶接機の電源部で、従来のMOSFET機と比較してインバーターユニットの部品点数を67%削減している。(2018/3/9)

FAニュース:
定期交換部品を83%削減したIGBT搭載高周波溶接機用電源、溶接機向け
明電舎は、IGBT方式を採用した新型高周波電源を発売した。従来のMOSFET機に比べてインバーターユニットの部品点数を67%削減するなど、故障率を低減してメンテナンス性を高めた。(2018/2/23)

ルネサス ISL8274M、ZL9024M:
完全集積型デジタルDC-DC電源モジュール
ルネサス エレクトロニクスは、コントローラー、MOSFET、インダクター、受動部品を1つのモジュールに集積した、完全集積型デジタル電源モジュール「ISL8274M」「ZL9024M」を発表した。(2018/2/19)

「世界最高の定格出力密度」:
三菱電機、6.5kV耐圧のフルSiCモジュールを開発
三菱電機は2018年1月31日、シリコンによる従来のパワー半導体モジュールよりも定格出力密度を1.8倍に高めた6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発したと発表した。ダイオードを内蔵したSiC-MOSFETを採用し、小型サイズを実現している。(2018/2/1)

東芝 π-MOSIXシリーズ:
スイッチング電源向けの600V耐圧プレーナMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧のプレーナMOSFET「π-MOSIX(パイモスナイン)」シリーズの量産を開始した。従来製品の「π-MOSVII(パイモスセブン)」シリーズに比べ、EMIノイズピーク値を5dB低減した。(2018/1/31)

STマイクロ PWD13F60:
4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiP
STマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。(2017/12/28)

しきい値電圧変動を大幅に低減:
GaN-MOSFET向けゲート絶縁膜プロセス、東芝が開発
東芝は、GaNパワーデバイス向けにゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。「IEDM 2017」で発表したもの。しきい値電圧の変動を極限まで低減するという。(2017/12/12)

福田昭のデバイス通信(120) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(4):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その2):ソニーの虹彩認識用イメージセンサー
2017年12月5日午前のセッションから注目講演を紹介する。ソニーは、スマートフォン向けを想定した、シリコンの赤外線イメージセンサーについて発表する。その他、III-V族ナノスケールMOSFETや、バイオセンサー、化学センサーなどの講演を取り上げる。(2017/11/17)

リテルヒューズ LSIC1MO120E0080シリーズ:
高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。(2017/11/2)

Nexperia LFPAK56D:
車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS(Antilock Brake System)などに向く。(2017/10/11)

インターシル ISL8215M:
42VシングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール
インターシルは、最大15Aの連続電流を可能にした、シングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール「ISL8215M」を発表した。コントローラ、MOSFET、インダクタ、受動部品を集積し、7〜42Vのシングル入力電圧範囲で動作する。(2017/9/29)

独自のソース領域構造で:
三菱電機が新型SiC-MOSFET、信頼性と省エネ両立
三菱電機は、電力損失を最小レベルに抑えたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体素子を開発した。2020年度以降の実用化を目指す。(2017/9/25)

チャネル領域の抵抗を約4割減:
東芝、SiC-MOSFETの抵抗を下げる新プロセス開発
東芝は2017年9月19日、SiC-MOSFETのチャネル領域の抵抗を約40%低減する新しいプロセス技術を開発したと発表した。(2017/9/20)

インフィニオン CoolMOS P7:
SJ構造のパワーMOSFETにSOT-223パッケージを追加
インフィニオンテクノロジーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したパワーMOSFET「CoolMOS P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加した。基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることができる。(2017/9/11)

電子ブックレット(EDN):
MOSFETの実効容量値を簡単に求める方法
「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、「最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法」を紹介します。(2017/8/28)

ADI LTC7003:
最大60VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズ(ADI)は、最大60Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7003」を発売した。内蔵のチャージポンプにより、100%のデューティサイクルを可能にした。(2017/7/27)

電気抵抗は半分以下に:
富士電機、トレンチゲート構造のSiC-MOSFET
富士電機は、トレンチゲート構造の「SiC-MOSFET」を開発した。プレーナーゲート構造を用いた素子に比べて、電気抵抗は5割以上も小さくなる。(2017/7/10)

アナログ・デバイセズ LTC7000/LTC7000-1:
最大150VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズは、100%のデューティサイクルを可能にした、保護機能付き高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7000」と「LTC7000-1」を発売した。最大150Vの電源電圧で動作する。(2017/6/22)

STマイクロ MDmesh DK5シリーズ:
高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。(2017/6/15)

オン・セミコンダクター FAN6248:
LLC電源向け同期式レクティファイア制御IC
オン・セミコンダクターはLLC方式の電源トポロジー向けに、同期式レクティファイア(SR)コントローラー「FAN6248」を発表した。2つのSR MOSFETにより、外付け部品を最小限に抑え、LLC電源の設計を簡素化する。(2017/5/29)

STM STLD200N4F6AGなど:
5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。(2017/5/25)

PCIM 2017:
SiCだけではない、パワー製品群の展示に注力 ローム
ロームは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日、ドイツ・ニュルンベルク)にて、Si-IGBTやSiC-MOSFET向けゲートドライバーICなどを展示した。(2017/5/22)

PCIM Europe 2017:
Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ
Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。(2017/5/18)

インフィニオン 600V CoolMOS P7/C7 Gold:
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。(2017/4/20)

インフィニオン IR3883:
部品点数を5点削減できるMOSFETレギュレーター
インフィニオンテクノロジーズは、高密度アプリケーション向けに高集積型MOSFET DC-DCレギュレーター「IR3883」を発表した。強力な安定化エンジンを採用し、補償回路がなくてもセラミックコンデンサーによる安定動作を可能にした。(2017/3/22)

電子ブックレット:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。(2017/3/5)

電力損失を約21%低減へ:
三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初
三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を2017年3月1日に発売した。同社はこれまでSiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。(2017/3/3)



2013年のα7発売から5年経ち、キヤノン、ニコン、パナソニック、シグマがフルサイズミラーレスを相次いで発表した。デジタルだからこそのミラーレス方式は、技術改良を積み重ねて一眼レフ方式に劣っていた点を克服してきており、高級カメラとしても勢いは明らかだ。

言葉としてもはや真新しいものではないが、半導体、デバイス、ネットワーク等のインフラが成熟し、過去の夢想であったクラウドのコンセプトが真に現実化する段階に来ている。
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これからの世の中を大きく変えるであろうテクノロジーのひとつが自動運転だろう。現状のトップランナーにはIT企業が目立ち、自動車市場/交通・輸送サービス市場を中心に激変は避けられない。日本の産業構造にも大きな影響を持つ、まさに破壊的イノベーションとなりそうだ。

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